[发明专利]用于隧穿场效应晶体管的截止状态寄生漏电减少

权利要求书

1.一种方法，包括：

在衬底上的结区之间形成器件的非平面导电沟道，衬底包括沟道下方的阻挡材料，所述阻挡材料包括用以抑制载流子泄漏的性质，其中所述阻挡材料包括空气间隙，并且在形成沟道之后，所述方法包括移除沟道下方的衬底的部分；以及

在沟道上形成栅极堆叠，所述栅极堆叠包括电介质材料和栅极电极，其中所述结区的顶表面与所述沟道的顶表面不共面，其中所述沟道是与所述衬底不同的材料，并且其中通过移除所述衬底上的与所述衬底和所述沟道不同的牺牲材料来形成所述空气间隙。

2.根据权利要求1所述的方法，其中阻挡材料还包括宽带隙材料，所述宽带隙材料包括相对于沟道的材料的0.5eV或更大增量的带偏移。

3.根据权利要求2所述的方法，其中宽带隙材料包括III-V族化合物材料。

4.根据权利要求2所述的方法，其中衬底包括第一半导体材料，以及第一半导体材料上的缓冲材料，缓冲材料包括与第一半导体材料相邻的第一晶格结构和与第一半导体材料相对的侧上的不同的第二晶格结构，并且沟道材料包括与第二晶格结构类似的晶格结构。

5.根据权利要求4所述的方法，其中阻挡材料的宽带隙材料包括与沟道材料的晶格结构类似的晶格结构。

6.根据权利要求5所述的方法，其中阻挡材料设置在缓冲材料与器件的沟道之间。

7.根据权利要求4所述的方法，其中在形成导电沟道之前，该方法包括在缓冲材料上形成阻挡材料，并且形成沟道包括在阻挡材料上形成沟道。

8.根据权利要求4所述的方法，其中第一半导体材料包括硅，并且缓冲材料包括渐次变化的硅锗。

9.一种方法，包括：

在半导体衬底上形成缓冲材料，缓冲材料包括包含与衬底不同的晶格结构的半导体材料；

在缓冲材料上形成阻挡材料，所述阻挡材料包括用以抑制载流子泄漏的性质；以及

在衬底上形成晶体管器件，其中所述阻挡材料包括空气间隙，并且形成晶体管器件在形成所述阻挡材料之前，其中在形成所述阻挡材料之前，所述方法包括在缓冲材料上形成牺牲材料，并且形成所述阻挡材料包括移除沟道下方的牺牲材料的部分，其中所述晶体管器件的源极区和漏极区的顶表面与所述沟道的顶表面不共面，其中所述沟道是与所述半导体衬底不同的材料，并且其中通过移除与所述衬底和所述沟道不同的牺牲材料来形成所述空气间隙。

10.根据权利要求9所述的方法，其中形成晶体管器件包括在阻挡材料上形成晶体管器件。

11.根据权利要求10所述的方法，其中阻挡材料还包括宽带隙材料，所述宽带隙材料包括相对于沟道的材料的0.5eV或更大增量的带偏移。

12.根据权利要求11所述的方法，其中宽带隙材料包括III-V族化合物材料。

13.根据权利要求11所述的方法，其中衬底包括第一半导体材料以及第一半导体材料上的缓冲材料，缓冲材料包括与第一半导体材料相邻的第一晶格结构和与第一半导体材料相对的侧上的不同的第二晶格结构，并且晶体管器件的沟道材料包括与第二晶格结构类似的晶格结构。

14.根据权利要求13所述的方法，其中阻挡材料的宽带隙材料包括与沟道材料的晶格结构类似的晶格结构。

15.根据权利要求14所述的方法，其中阻挡材料设置在缓冲材料与晶体管器件的沟道之间。

16.根据权利要求13所述的方法，其中在形成导电沟道之前，该方法包括在缓冲材料上形成阻挡材料，并且形成沟道包括在阻挡材料上形成沟道。