[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201580081054.8 | 申请日： | 2015-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN108140668B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 鲍新宇;叶祉渊;吉恩-巴蒂斯特·品;埃罗尔·桑切斯;弗兰克·巴萨尼;蒂埃里·巴罗;雅恩·博古米罗维兹;吉恩-米歇尔·哈特曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司;法国国家科研中心;法国原子能源与替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体基板，所述半导体基板包括硅或锗并且具有包含1,0,0平面和1,1,0平面的晶体结构和在所述1,1,0平面的方向上与所述1,0,0平面形成0.3度至0.7度的角度的错切表面；和
外延化合物半导体层，所述外延化合物半导体层直接形成在所述错切表面上，所述化合物半导体层包括III族元素和V族元素并且不含反相畴界缺陷，
其中在形成所述外延化合物半导体层之前，所述半导体基板在介于700℃至900℃之间的温度下被热处理；并且
其中所述外延化合物半导体层具有介于200纳米至1000纳米之间的厚度。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述外延化合物半导体层包括选自于由铟和镓所构成的组中的第一元素和选自于由磷、砷和锑所构成的组中的第二元素。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述错切表面包括锗层。
4.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述外延化合物半导体层进一步包括选自于由铟、镓和铝所构成的组中的第三元素，其中所述第三元素不同于所述第一元素。
5.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：
获得包括硅或锗并且具有包含1,0,0平面和1,1,0平面的晶体结构和在所述1,1,0平面的方向上与所述1,0,0平面形成0.3度至0.7度的角度的错切表面的半导体基板；
使所述半导体基板在介于700℃至900℃之间的温度下进行热处理；和
使用外延工艺在所述错切半导体基板表面上直接形成不含反相畴界的化合物半导体层，所述化合物半导体层包括III族合金和V族合金，
其中所形成的所述化合物半导体层具有介于200纳米至1000纳米之间的厚度。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述外延工艺包括以下步骤：在外延腔室中设置具有所述错切表面的所述半导体基板，加热所述基板至介于300℃至800℃之间的温度，使所述外延腔室中的压力维持在1毫托尔至600托尔之间，和使所述基板暴露于气体混合物下，所述气体混合物包括III族前驱物和V族前驱物。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述III族前驱物包括选自于由铟和镓所构成的组中的第一元素和选自于由磷、砷和锑所构成的组中的第二元素。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司;法国国家科研中心;法国原子能源与替代能源委员会，未经应用材料公司;法国国家科研中心;法国原子能源与替代能源委员会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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