[发明专利]太阳能电池单元及太阳能电池单元的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池单元，其特征在于，具备：

n型硅基板；

p型杂质扩散层，其形成于所述n型硅基板的一面侧、含有p型的杂质元素；

n型杂质扩散层，其具有n型的杂质元素以第1浓度扩散的第1n型杂质扩散层和n型的杂质元素以比所述第1浓度低的第2浓度扩散的第2n型杂质扩散层、形成于所述n型硅基板的另一面侧、且以比所述n型硅基板高的浓度含有n型的杂质元素；

p型杂质扩散层上电极，其形成于所述p型杂质扩散层上；和

n型杂质扩散层上电极，其形成于所述第1n型杂质扩散层上，

所述第1n型杂质扩散层的表面的所述n型的杂质元素的浓度为5×10²⁰atoms/cm³以上且2×10²¹atoms/cm³以下，所述第2n型杂质扩散层的表面的所述n型的杂质元素的浓度为5×10¹⁹atoms/cm³以上且2×10²⁰atoms/cm³以下。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池单元，其特征在于，

所述第1n型杂质扩散层的薄层电阻为20Ω/sq.以上且80Ω/sq.以下，所述第2n型杂质扩散层的薄层电阻比150Ω/sq.大。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池单元，其特征在于，

所述n型硅基板的外形形状是一边的长度为156mm以上且158mm以下的正方形形状，

所述第1n型杂质扩散层具有100根以上且300根以下的根数的宽度为50μm以上且150μm以下的长尺寸细长的栅电极形成区域，

所述n型杂质扩散层上电极在所述栅电极形成区域的区域内具有100根以上且300根以下的根数的长尺寸细长的n型杂质扩散层上栅电极。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池单元，其特征在于，

所述n型的杂质元素为磷。

5.一种太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，包括：

第1工序，在n型硅基板的一面侧形成含有p型的杂质元素的p型杂质扩散层；

第2工序，将含有n型杂质元素的含n型掺杂剂糊涂布于所述n型硅基板的另一面侧；

第3工序，在处理室内对所述n型硅基板实施不含有n型的杂质元素的气体的气氛下的第1热处理，使n型的杂质元素从所述含n型掺杂剂糊扩散到所述n型硅基板中的所述含n型掺杂剂糊的下部区域，由此在所述n型硅基板的所述含n型掺杂剂糊的下部区域形成n型的杂质元素以第1浓度被扩散的第1n型杂质扩散层；

第4工序，在所述处理室内对所述n型硅基板实施含有n型的杂质元素的含掺杂剂气体的气氛下的第2热处理，使n型的杂质元素从所述含掺杂剂气体扩散到所述n型硅基板的另一面侧的未涂布所述含n型掺杂剂糊的未涂布区域，由此在所述未涂布区域形成n型的杂质元素以比所述第1浓度低的第2浓度被扩散的第2n型杂质扩散层；

第5工序，去除所述含n型掺杂剂糊；

第6工序，在所述p型杂质扩散层上形成p型杂质扩散层上电极；和

第7工序，在所述第1n型杂质扩散层上形成n型杂质扩散层上电极。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，

将所述第4工序后的、所述第1n型杂质扩散层的表面的所述n型的杂质元素的浓度设为5×10²⁰atoms/cm³以上且2×10²¹atoms/cm³以下，将所述第2n型杂质扩散层的表面的所述n型的杂质元素的浓度设为5×10¹⁹atoms/cm³以上且2×10²⁰atoms/cm³以下。

7.根据权利要求5或6所述的太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，

所述第4工序后的、所述第1n型杂质扩散层的薄层电阻为20Ω/sq.以上且80Ω/sq.以下，所述第2n型杂质扩散层的薄层电阻比150Ω/sq.大。