[发明专利]太阳能电池单元及太阳能电池单元的制造方法在审

申请号：	201580081082.X	申请日：	2015-07-02
公开（公告）号：	CN107750399A	公开（公告）日：	2018-03-02
发明（设计）人：	森川浩昭;滨笃郎;幸畑隼人;过能慎太郎	申请（专利权）人：	三菱电机株式会社
主分类号：	H01L31/0687	分类号：	H01L31/0687;H01L31/0352;H01L31/08
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038	代理人：	贾成功
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	太阳能电池单元制造方法
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及使用n型的硅基板的太阳能电池单元(セル)及太阳能电池单元的制造方法。

背景技术

当前，作为谋求太阳能电池单元的高光电转换效率化的构造，在专利文献1中，已知如下构造：在n型硅基板的受光面侧具备p型发射极层、在另一面侧具备BSF(Back Surface Field，背面电场)层，BSF层处的电极的下部区域与其它区域相比杂质浓度被设为高浓度。在这样的结构中，能够降低电极的下部区域与电极的接触电阻。另外，在电极的下部区域以外的区域，由于BSF效果而能够得到钝化效果。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5379767号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，根据上述专利文献1的技术，在形成与其它区域相比杂质浓度被设为高浓度的电极的下部区域时，使用平板印刷技术。因此，专利文献1的技术存在制造工序变繁杂、另外制造成本变昂贵的问题。

另外，在谋求高光电转换效率化方面，为了有效地发挥电极的下部区域以外的区域中的钝化的性能，重要的是适当地调整杂质浓度。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于得到能够以简便的工序便宜地形成并可高光电转换效率化的太阳能电池单元。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题、达到目的，本发明的特征在于，具备：n型硅基板；p型杂质扩散层，其形成于n型硅基板的一面侧而含有p型的杂质元素；n型杂质扩散层，其具有n型的杂质元素以第1浓度扩散的第1n型杂质扩散层和n型的杂质元素以比第1浓度低的第2浓度扩散的第2n型杂质扩散层、形成于n型硅基板的另一面侧而以比n型硅基板高的浓度含有n型的杂质元素；p型杂质扩散层上电极，其形成于p型杂质扩散层上；和n型杂质扩散层上电极，其形成于第1n型杂质扩散层上；第1n型杂质扩散层的表面的n型的杂质元素的浓度为5×10²⁰atoms/cm³以上且2×10²¹atoms/cm³以下，第2n型杂质扩散层的表面的n型的杂质元素的浓度为5×10¹⁹atoms/cm³以上且2×10²⁰atoms/cm³以下。

发明效果

本发明涉及的太阳能电池单元实现能够以简便的工序便宜地形成、得到可高光电转换效率化的太阳能电池单元的效果。

附图说明

图1是从受光面侧观察本发明的实施方式1涉及的太阳能电池单元时的俯视图

图2是从与受光面对置的背面侧观察本发明的实施方式1涉及的太阳能电池单元时的俯视图

图3是示出本发明的实施方式1涉及的太阳能电池单元的结构的主要部分剖视图，是沿着图1中的A－A线的剖视图

图4是用于说明本发明的实施方式1涉及的太阳能电池单元的制造方法的一个例子的流程图

图5是用于说明本发明的实施方式1涉及的太阳能电池单元的制造工序的一个例子的主要部分剖视图

图6是用于说明本发明的实施方式1涉及的太阳能电池单元的制造工序的一个例子的主要部分剖视图

图7是用于说明本发明的实施方式1涉及的太阳能电池单元的制造工序的一个例子的主要部分剖视图

图8是用于说明本发明的实施方式1涉及的太阳能电池单元的制造工序的一个例子的主要部分剖视图

图9是用于说明本发明的实施方式1涉及的太阳能电池单元的制造工序的一个例子的主要部分剖视图