[发明专利]支承销和成膜装置在审
申请号: | 201580081967.X | 申请日: | 2015-07-29 |
公开(公告)号: | CN107851600A | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 加藤久幸 | 申请(专利权)人: | 堺显示器制品株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C23C14/50 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所11410 | 代理人: | 杨黎峰,钟锦舜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承销 装置 | ||
技术领域
本发明涉及支承基板的支承销和在被该支承销支承的基板形成膜的成膜装置。
背景技术
目前为止,对于在基板形成膜的成膜装置,例如提出了CVD(化学气相沉积)装置(例如参照专利文献1)。成膜装置具有:反应室;和配置于该反应室中的、支承基板的承受器。承受器可升降地构成,具有上下贯通的多个贯通孔。将设置于反应室的底部的支承销插入各贯通孔。
如下所述进行成膜。承受器下降,支承销的上部位于承受器的上侧。搬运装置将基板搬运至反应室,支承销支承所搬运的基板。承受器上升,承受器支承基板。向反应室内供给气体,在基板形成膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-237026号公报
发明内容
发明要解决的课题
支承销具有:上下延伸的支承筒;和插入了该支承筒的上端部的头部。在头部和支承筒中设置有贯通孔。将联结构件插入贯通孔,将头部和支承筒联结。利用搬运装置反复进行基板在反应室中的搬入搬出,将基板反复载置于头部。由于贯通孔,头部的强度降低,由于反复载置基板,因此头部有可能破损。
本发明鉴于该实际情况而完成,目的在于提供抑制破损的支承销和具有该支承销的成膜装置。
用于解决课题的手段
本发明涉及的支承销具有:支承基板的头部和支承该头部的支承筒,在上述头部和支承筒分别设置有供用于将上述头部和支承筒联结的联结构件插入的贯通孔,该支承销布置于在上述基板上形成膜的成膜装置的反应室中,其特征在于,上述头部具有:载置上述基板的载置部和从该载置部突出并被插入上述支承筒的端部的插入部,上述插入部具有在上述支承筒的径向上的尺寸比上述支承筒的内径大的大尺寸部分,在上述支承筒的上述端部设置有供上述大尺寸部分插入的沟槽。
本发明涉及的支承销,其特征在于,上述插入部具有上述径向的尺寸与上述支承筒的内径对应的小尺寸部分,上述大尺寸部分在径向上从上述小尺寸部分向外突出。
本发明涉及的支承销,其特征在于,上述插入部具有上述径向的尺寸与上述支承筒的内径对应的小尺寸部分,上述大尺寸部分在上述支承筒的轴向上从上述载置部突出,上述小尺寸部分在上述轴向上从上述大尺寸部分的突出端部突出。
本发明涉及的成膜装置,其特征在于,具有:上述任一项的支承销和容纳该支承销的反应室。
本发明中,在插入部形成大尺寸部分,使头部的强度提高。
本发明中,不仅形成大尺寸部分,而且也形成小尺寸部分,进一步使头部的强度提高。
本发明中,由大尺寸部分和小尺寸部分形成台阶,将小尺寸部分插入支承筒,抑制头部的摇动。
发明的效果
本发明涉及的支承销和成膜装置由于在插入部形成大尺寸部分,使头部的强度提高,因此能够抑制头部的破损。
附图说明
图1是简要表示实施方式1涉及的成膜装置的构成的侧面截面图。
图2是简要表示承受器和支承销的侧面截面图。
图3是简要表示支承销的构成的放大分解斜视图。
图4是简要表示实施方式2涉及的成膜装置的头部的构成的放大分解斜视图。
图5是将图4的V-V线作为剖线的简要截面图。
图6是实施方式3涉及的成膜装置的插入部的简要截面图。
图7是简要表示实施方式4涉及的成膜装置的支承销的部分放大分解斜视图。
图8是简要表示支承销的部分放大纵截面图。
具体实施方式
(实施方式1)
以下基于表示实施方式1涉及的成膜装置的附图对本发明进行说明。图1为简要表示成膜装置的构成的侧面截面图,图2为简要表示承受器和支承销的侧面截面图。
成膜装置具有反应室1。经由供给管3,将供给用于成膜的气体的气体供给部2连接至反应室1。在反应室1的侧面设置有用于将基板10搬入和搬出的搬入搬出口4。经由排气管6将真空泵5连接至反应室1。
在反应室1的上侧设置有将气体分散的扩散器7。扩散器7连接至供给管3,也作为上部电极发挥功能。在反应室1的底面立设有支承基板10的多个支承销9。在反应室1的下侧设置有支承基板10、在前后左右延伸的平板状的承受器8。在承受器8中设置有上下贯通的多个销用孔8a。销用孔8a呈与支承销9对应的形状。将支承销9插入销用孔8a中。承受器8可上下移动地构成。承受器8也作为下部电极发挥功能。将扩散器7和承受器8连接至施加电压的电压施加装置(省略图示)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造