[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，包括下述工序：

将衬底备于处理室中的工序，其中，所述衬底中，在纵横比为20以上的图案上形成有作为基膜的绝缘膜，在所述绝缘膜上形成有作为处理对象的厚度以下的处理对象膜，所述处理对象膜为非晶质膜；

通过从加热装置供给的电磁波而将所述衬底升温至300℃以上且500℃以下的第一温度的工序；

在维持所述第一温度的同时，在第一处理时间的期间内将所述衬底的所述处理对象膜多晶化的第一处理工序；

在所述第一处理工序后，通过从所述加热装置供给的所述电磁波而将所述衬底从所述第一温度升温至比所述第一温度高的第二温度的工序；及

在维持所述第二温度的同时，在比所述第一处理时间短的第二处理时间的期间内，将所述衬底的经所述多晶化的所述处理对象膜的晶体缺陷修复的第二处理工序。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

将在垂直方向上以多层保持的多个衬底备于所述处理室中，使用电磁波振荡器和加热器中的任一者或两者将所述多个衬底升温，所述电磁波振荡器设置在所述处理室的侧面且发出所述电磁波，所述加热器与所述处理室呈同心圆地设置且通过电阻加热而发热。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一处理工序为使所述非晶质膜结晶化的结晶化工序。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二温度高于500℃且为700℃以下。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一处理时间为5分钟以上且30分钟以内。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二处理时间少于5分钟。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二温度为使所述处理对象膜的内部产生极化的温度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述电磁波的波长大于所述衬底的厚度。

9.衬底处理装置，具有：

处理衬底的处理室，其中，所述衬底中，在纵横比为20以上的图案上形成有作为基膜的绝缘膜，在所述绝缘膜上形成有作为处理对象的厚度以下的处理对象膜，所述处理对象膜为非晶质膜；

对所述处理室内供给电磁波、加热所述衬底的加热装置；及

控制部，其以实施第一处理、并在实施所述第一处理后实施第二处理的方式控制所述加热装置，其中，所述第一处理为通过所述电磁波而将所述衬底升温至300℃以上且500℃以下的第一温度、于所述第一温度在第一处理时间的期间内将所述衬底的所述处理对象膜多晶化的处理；所述第二处理为下述处理：通过所述电磁波而将所述衬底从所述第一温度升温至比所述第一温度高的第二温度，于所述第二温度在比所述第一处理时间短的第二处理时间的期间内将所述衬底的经所述多晶化的所述处理对象膜的晶体缺陷修复。

10.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其具有：对所述处理室的上部的温度进行测定的上部温度测定器、和对所述处理室的下部的温度进行测定的下部温度测定器，

所述控制部以使得所述上部温度测定器的温度与所述下部温度测定器的温度变得相同的方式控制所述加热装置。

11.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，

所述加热装置具有设置在所述处理室的侧面且发出所述电磁波的电磁波振荡器、和与所述处理室呈同心圆地设置且通过电阻加热而发热的加热器，

将在垂直方向上以多层保持的多个衬底备于所述处理室中，使用所述电磁波振荡器和所述加热器中的任一者或两者将所述多个衬底升温。