[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

说明书

本发明提供能进行均匀的衬底处理的技术。提供的技术具有：将衬底备于处理室中的工序，衬底中，在纵横比为20以上的图案上形成有作为基膜的绝缘膜，在绝缘膜上形成有作为处理对象的厚度以下的处理对象膜；通过从加热装置供给的电磁波而将衬底升温至第一温度的工序；在维持所述第一温度的同时，在第一处理时间的期间内处理衬底的第一处理工序；在第一处理工序后，通过从加热装置供给的电磁波而将衬底从第一温度升温至比第一温度高的第二温度的工序；及在维持第二温度的同时，在比第一处理时间短的第二处理时间的期间内处理衬底的第二处理工序。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

背景技术

作为半导体器件的制造工序的一个工序，例如，存在使用加热装置加热处理室内的衬底、使在衬底的表面成膜的薄膜中的组成、晶体结构变化的退火处理。在最近的半导体器件中，3DNAND等器件构造的三维化正在推进，需要对形成为纵横比(Aspect Ratio，以下，称为A/R)高的图案形状的膜进行改质。

发明内容

发明要解决的课题

然而，难以对形成为纵横比高的图案形状的膜均匀地进行改质，在利用灯加热进行的改质(Flash Lamp Anneal：FLA)、利用线圈加热器等的加热进行的改质(加温退火)中，改质仅停留在膜的表面，难以对形成在深凹槽等图案的深处的膜进行处理。

本发明的目的在于提供一种能够进行均匀的衬底处理的技术。

用于解决课题的手段

根据本发明的一个方式，提供一种技术，所述技术具有：

将衬底备于处理室中的工序，其中，所述衬底中，在纵横比为20以上的图案上形成有作为基膜的绝缘膜，在所述绝缘膜上形成有作为处理对象的厚度以下的处理对象膜；

通过从加热装置供给的电磁波而将所述衬底升温至第一温度的工序，

在维持所述第一温度的同时，在第一处理时间的期间内处理所述衬底的第一处理工序，

在所述第一处理工序后，通过从所述加热装置供给的所述电磁波而将所述衬底从所述第一温度升温至比所述第一温度高的第二温度的工序，及

在维持所述第二温度的同时，在比所述第一处理时间短的第二处理时间的期间内处理所述衬底的第二处理工序。

发明效果

通过本发明，可提供能进行均匀的衬底处理的技术。

附图说明

[图1]为本发明中的第一实施方式中适合使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是以纵剖面图示出处理炉部分的图。

[图2]为本发明中适合使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图。

[图3A]为示出本发明中适合使用的衬底表面的图案的示意图。

[图3B]为将图3A的衬底表面图案中的虚线区域a放大的图。

[图4]为示出本发明中的衬底处理的流程的图。

[图5]为本发明中的第一实施方式中适合使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，并且是示出在图1的处理炉部分中搬入有衬底保持件的状态的图。

[图6A]为进行了本发明中的改质工序时的图3A的虚线区域b的TEM(TransmissionElectron Microscope:透射电子显微镜)照片。

[图6B]为进行了本发明中的改质工序时的图3A的虚线区域c的TEM照片。

[图6C]为进行了本发明中的改质工序时的图3A的虚线区域d的TEM照片。