[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，具有第1读出模式和第2读出模式，且具备：

第1存储单元及第2存储单元；

第1字线，连接于所述第1存储单元及第2存储单元的栅极；

第1位线，连接于所述第1存储单元；

第2位线，连接于所述第2存储单元；

第1读出放大器，在所述第1及第2读出模式下，在第1时序判定从所述第1存储单元读出的数据；以及

第2读出放大器，在所述第1读出模式下，在和所述第1时序不同的第2时序判定从所述第2存储单元读出的数据，在所述第2读出模式下，在所述第1时序判定从所述第2存储单元读出的数据；且

所述第1时序和所述第2时序不同，

在所述第1读出模式下，所述第1字线的电压连续地上升，在所述第2读出模式下，所述第1字线的电压递进上升。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

还具备延迟电路，所述延迟电路在所述第1读出模式时，使第1信号延迟而生成第2信号，

所述第1读出放大器基于所述第1信号来判定所述数据，所述第2读出放大器基于所述第2信号来判定所述数据。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

还具备对所述第1字线施加电压的驱动器电路，

当所述驱动器电路对所述第1字线施加电压时，所述第2存储单元的栅极电位相比所述第1存储单元的栅极电位上升得慢。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述延迟电路设于半导体基板上，所述第1及第2存储单元设于所述延迟电路的上方。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述第1及第2读出放大器设于半导体基板上，所述第1字线设于所述第1及第2读出放大器的上方，

还具备：

第1晶体管，设于所述半导体基板上，连接于供给电压的驱动器电路；及

第1接触插塞，设于所述第1字线上；且所述第1接触插塞到所述第2存储单元的电流路径长，大于所述第1接触插塞到所述第1存储单元的电流路径长。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，

还具备第2及第3接触插塞，所述第2及第3接触插塞设于第1区域，且连接于所述第1及第2位线，

所述第1及第2位线经由所述第2及第3接触插塞而连接于所述第1及第2读出放大器。