[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，具有：

通过由加热装置供给的电磁波将在保持基板的基板保持器中保持的隔热板加热直至处理所述基板的处理温度，由非接触式温度计测定直至达到所述处理温度的所述隔热板的温度变化的工序；

由所述加热装置将在所述基板保持器中保持的所述基板加热直至所述处理温度，由所述非接触式温度计测定直至达到所述处理温度的所述基板的温度变化的工序；

根据所述隔热板的温度变化的测定结果与所述基板的温度变化的测定结果，取得所述隔热板与所述基板的温度变化的相关关系的工序；

基于所述非接触式温度计测定的隔热板的温度与所述相关关系，控制所述加热装置来加热所述基板的工序。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

在加热所述基板的工序中，在加热所述基板使之升温期间，将间断地供给所述电磁波的脉冲控制与线性地控制所述电磁波的供给输出的功率极限控制组合，来控制所述加热装置。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

在加热所述基板的工序中，在维持在所述处理温度的期间，将间断地供给所述电磁波的脉冲控制和基于所述相关关系进行所述加热装置的控制的反馈控制组合，来控制所述加热装置。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

在测定所述隔热板的温度变化的工序中，测定与所述基板相比被保持在上方或下方的所述隔热板的温度变化。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

在所述加热装置中至少设置2个以上的发出所述电磁波的电磁波振荡器，基于所述非接触式温度计的测定结果，进行同样的控制。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

通过所述加热装置，对被保持为夹入到至少2个以上所述隔热板的所述基板进行加热。

7.一种基板处理装置，具有：

处理室，保持基板和隔热板的基板保持器被搬出搬入该处理室；

加热装置，具有对于所述处理室发出电磁波的电磁波振荡器；

非接触式温度计，测定所述基板和所述隔热板的温度；

控制部，通过由所述加热装置供给的所述电磁波将在所述基板保持器中保持的所述隔热板加热直至处理所述基板的处理温度，由所述非接触式温度计测定直至达到所述处理温度的所述隔热板的温度变化，由所述加热装置将在所述基板保持器中保持的所述基板加热直至所述处理温度，由所述非接触式温度计测定直至达到所述处理温度的所述基板的温度变化，根据所述隔热板的温度变化的测定结果与所述基板的温度变化的测定结果，取得所述隔热板和所述基板的温度变化的相关关系，基于所述非接触式温度计测定的隔热板的温度与所述相关关系，控制所述加热装置。

8.如权利要求7所述的基板处理装置，

对于在所述加热装置中设置了至少2个以上的发出所述电磁波的电磁波振荡器，所述控制部基于所述非接触式温度计的测定结果，进行同样的控制。

9.如权利要求7所述的基板处理装置，

所述基板保持器至少保持两个以上所述隔热板，以夹入所述基板。

10.一种计算机能够读取的记录介质，该记录介质记录有计算机程序，其特征在于，由基板处理装置执行所述计算机程序时，所述基板处理装置执行以下步骤：

通过由加热装置供给的电磁波将在保持基板的基板保持器中保持的隔热板加热直至处理所述基板的处理温度，由非接触式温度计测定直至达到所述处理温度的所述隔热板的温度变化的步骤，

由所述加热装置将在所述基板保持器中保持的所述基板加热直至所述处理温度，由所述非接触式温度计测定直至达到所述处理温度的所述基板的温度变化的步骤，

根据所述隔热板的温度变化的测定结果与所述基板的温度变化的测定结果，取得所述隔热板与所述基板的温度变化的相关关系的步骤，

基于所述非接触式温度计测定的隔热板的温度与所述相关关系，控制所述加热装置来加热所述基板的步骤。