[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质

说明书

本发明可以提供一种能够进行均匀的基板处理的技术。本发明能够提供一种具有以下工序的技术：通过由加热装置供给的电磁波将在保持基板的基板保持器中保持的隔热板加热直至处理基板的处理温度，由非接触式温度计测定直至达到处理温度的隔热板的温度变化的工序；由加热装置将在基板保持器中保持的基板加热直至处理温度，由非接触式温度计测定直至达到处理温度的基板的温度变化的工序；根据隔热板的温度变化的测定结果与基板的温度变化的测定结果，取得隔热板与基板的温度变化的相关关系的工序；基于非接触式温度计所测定的隔热板的温度与相关关系，控制加热装置来加热基板的工序。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质。

背景技术

作为半导体装置的制造工序中的一个工序，例如，有使用加热装置加热处理室内的基板，使在基板表面成膜的薄膜中的组成、晶体结构改变的退火处理。在近年来的半导体设备中，伴随着细微化，要求对形成了具有高纵横比的图案的高密度基板进行退火处理。

发明内容

发明要解决的课题

在以往的退火处理中，不能对基板进行均匀的加热，不能进行对象膜的均匀处理。

本发明的目的是提供能够进行均匀的基板处理的技术。

解决课题的方法

根据本发明的一个方式，提供一种技术，其包括：

通过由加热装置供给的电磁波将在保持有基板的基板保持器中保持的隔热板加热至处理上述基板的处理温度，由非接触式温度计测定直至达到上述处理温度的上述隔热板的温度变化的工序；

由上述加热装置将在上述基板保持器中保持的上述基板加热至上述处理温度，由上述非接触式温度计测定直至达到上述处理温度的上述基板的温度变化的工序；

根据上述隔热板的温度变化的测定结果与上述基板的温度变化的测定结果，取得上述隔热板与上述基板的温度变化的相关关系的工序；

基于上述非接触式温度计测定的隔热板的温度与上述相关关系，控制上述加热装置来加热上述基板的工序。

发明效果

根据本发明，能够提供能够进行均匀的基板处理的技术。

附图说明

[图1]是本发明中的第一实施方式中适合使用的基板处理装置的单片型处理炉的概略构成图，是以纵截面图显示处理炉部分的图。

[图2]是本发明中适合使用的基板处理装置的控制器的概略构成图。

[图3]是显示本发明中的基板处理的流程的图。

[图4A]是显示由本发明中的温度控制引起的温度推移的图，是显示由升温时的温度控制引起的温度与时间的推移的曲线。

[图4B]是显示由本发明中的温度控制引起的温度推移的图，是显示由基板处理时的温度控制引起的温度与时间的推移的曲线。

[图4C]是显示由本发明中的基板处理时的温度控制引起的晶圆的加热区域的示意图。

[图5]是显示制作本发明中的第一实施方式中适合使用的处理转换表的流程的图。

[图6A]是显示制作本发明中的第一实施方式中适合使用的处理转换表时的温度测定方法的图，是测定隔热板的温度时的图。

[图6B]是显示制作本发明中的第一实施方式中适合使用的处理转换表时的温度测定方法的图，是测定靶基板的温度时的图。

[图7]是显示本发明中的第一实施方式中测定的隔热板和靶基板的温度与时间的推移的曲线。