[发明专利]半导体晶圆表面保护用粘合带及半导体晶圆的加工方法

权利要求书

1.一种半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，其具有基材树脂膜和形成于所述基材树脂膜的至少单面侧的放射线固化性的粘合剂层，

所述基材树脂膜具有至少1层拉伸弹性模量为1～10GPa的刚性层，

使所述粘合剂层进行放射线固化后的对于以JIS R 6253所规定的280号的耐水研磨纸精加工后的JIS G 4305所规定的厚度为1.5mm的不锈钢(Steel Use Stainless、SUS)的剥离角度30°下的剥离力为0.1～3.0N/25mm。

2.一种半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，其具有基材树脂膜、和形成于所述基材树脂膜的至少单面侧且通过放射线的照射不会固化的粘合剂层，

所述基材树脂膜具有至少1层拉伸弹性模量为1～10GPa的刚性层，

50℃下的对于以JIS R 6253所规定的280号的耐水研磨纸精加工后的JIS G 4305所规定的厚度为1.5mm的不锈钢(Steel Use Stainless、SUS)的剥离角度30°下的剥离力为0.1～3.0N/25mm。

3.根据权利要求1或2所述的半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，由在下述条件(a)～(d)下测定的环刚度的负荷载荷求出的每单位宽度的排斥力为2～15mN/mm，

(a)装置

环刚度测试仪(商品名、株式会社东洋精机制作所制)

(b)环(试验片)形状

长度为50mm、宽度为10mm、试验片方向为带MD方向

(c)压头的压入速度

3.3mm/sec

(d)压头的压入量

从压头与环接触的时刻起压入5mm。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，

所述刚性层与所述粘合剂层之间的层仅包含拉伸弹性模量低于1GPa的层，所述粘合剂层的厚度与所述拉伸弹性模量低于1GPa的层的厚度的合计为60μm以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，

所述粘合剂层在化学机械研磨用的浆料中浸渍24小时后的不溶成分相对于浸渍于所述浆料中之前的比例为75％以上，所述浆料是在pH12的氢氧化钠水溶液中分散14重量％的平均粒径为50nm的胶体二氧化硅而得到的。

6.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，

所述粘合剂层含有在侧链上具有烯属不饱和基团的放射性反应性树脂，且包含用于通过照射放射线而与所述放射性反应性树脂反应并使剥离力下降的改性剂。

7.根据权利要求6所述的半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，

所述改性剂为非有机硅系。

8.一种半导体晶圆的制造方法，其特征在于，其包括以下工序：(a)沿半导体晶圆的截断预定线，从所述半导体晶圆的表面形成低于所述半导体晶圆的厚度的槽的工序；(b)在形成有所述槽的半导体晶圆表面，贴合权利要求1～7中任一项所述的半导体晶圆表面保护用粘合带的工序；以及(c)通过将所述半导体晶圆背面进行磨削，从而将所述半导体晶圆单片化的工序。

9.一种半导体晶圆的制造方法，其特征在于，其包括以下工序：(a)通过对半导体晶圆的截断预定线上的所述半导体晶圆内部照射激光而形成改性区域的工序；(b)在所述(a)的工序之前或之后，在半导体晶圆表面贴合权利要求1～7中任一项所述的半导体晶圆表面保护用粘合带的工序；以及(c)通过将所述半导体晶圆背面进行磨削，从而将所述半导体晶圆单片化的工序。

10.根据权利要求8或9所述的半导体晶圆的制造方法，其特征在于，所述(c)的工序包含进行化学研磨的工序。