[发明专利]半导体晶圆表面保护用粘合带及半导体晶圆的加工方法

说明书

本发明提供在预切割法及预隐形法中抑制划偏、及能够在不将半导体晶圆破损或污染的情况下剥离的半导体晶圆表面保护用粘合带。本发明的半导体晶圆表面保护用粘合带(1)的特征在于，其具有基材树脂膜(2)和形成于上述基材树脂膜(2)的至少单面侧的粘合剂层(4)，上述基材树脂膜(2)具有至少1层拉伸弹性模量为1～10GPa的刚性层，上述粘合剂层(4)为放射线固化型时在放射线固化后的剥离角度30°下的剥离力为0.1～3.0N/25mm，上述粘合剂层(4)为压敏型时加热至50℃时的剥离角度30°下的剥离力为0.1～3.0N/25mm。

技术领域

本发明涉及半导体晶圆表面保护用粘合带及半导体晶圆的加工方法。进一步详细而言，涉及能够适用于半导体晶圆的薄膜磨削工序的半导体晶圆表面保护用粘合带和使用了该半导体晶圆表面保护用粘合带的半导体晶圆的加工方法。

背景技术

在半导体晶圆的制造工序中，图案形成后的半导体晶圆通常为了减薄其厚度，对半导体晶圆背面实施背面磨削加工、蚀刻等处理。此时，出于保护半导体晶圆表面的图案的目的而在该图案面粘贴半导体晶圆表面保护用粘合带。半导体晶圆表面保护用粘合带一般在基材树脂膜上层叠粘合剂层而成，在半导体晶圆的背面粘贴粘合剂层而使用。

伴随着近年来的高密度安装技术的进步，有半导体晶圆的薄厚化的要求，根据情况，要求进行薄厚加工至50μm以下的厚度。作为这样的加工方法之一，有在半导体晶圆的背面磨削加工之前，在半导体晶圆表面形成规定深度的槽，接着通过进行背面磨削而将芯片单片化的预切割法(例如，参照专利文献1)。此外，有如下所述的预隐形法：在背面磨削加工之前，通过对半导体晶圆内部照射激光而形成改性区域，接着通过进行背面磨削而将芯片单片化(例如，参照专利文献2)。

然而，在预切割法及预隐形法中为了抑制单片化后的芯片偏离(划偏，kerfshift)，要求使用的半导体晶圆表面保护用粘合带的弹性模量高，但若提高半导体晶圆表面保护用粘合带的弹性模量，则由于变得难以弯曲，所以将半导体晶圆表面保护用粘合带从半导体晶圆的表面剥离时的剥离角度变成锐角，存在半导体晶圆容易破损、或者容易引起在半导体晶圆的表面附着半导体晶圆表面保护用粘合带的粘合剂的残渣的残胶等半导体晶圆污染这样的问题。

此外，在预切割法或预隐形法中，由于芯片在磨削加工的途中被单片化，所以若半导体晶圆表面保护用粘合带的剥离性差，则产生在剥离时从贴合于半导体晶圆的背面的切割带或切割芯片接合膜摘下芯片的现象(以下，称为芯片剥离)。

因而，对于适用于预切割法及预隐形法的半导体晶圆表面保护用粘合带，要求抑制划偏、及没有包含芯片剥离在内的晶圆的破损和污染。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平05-335411号公报

专利文献2：日本特开2004-001076号公报

发明内容

发明所要解决的课题

因此，本发明的目的是提供在适用预切割法或预隐形法的情况下抑制划偏、及能够在不将半导体晶圆破损或污染的情况下剥离的半导体晶圆表面保护用粘合带。

用于解决课题的方案

对上述课题进行了深入研究，结果发现，通过在基材树脂膜上设置刚性层，同时降低剥离角度低的状态下的剥离力，能够解决上述课题。本发明是基于该见解而进行的发明。