[发明专利]基板载体、以及溅射沉积设备和其使用方法

说明书

提供了用于在溅射沉积工艺期间支撑至少一个基板的载体(100)。载体(100)包括：非导电的载体主体(102)，具有第一末端(111)和相对的第二末端(112)；电绝缘的第一导引装置(120)，设于陶瓷载体主体(102)的第一末端(111)处；和电绝缘的第二导引装置(130)，设于陶瓷载体主体(102)的第二末端(112)处。

技术领域

本文所述的实施方式涉及用于在溅射沉积工艺期间支撑至少一个基板的载体、用于在至少一个基板上溅射沉积的设备、和用于在至少一个基板上溅射沉积的方法。本文所述的实施方式具体地讲涉及用于在AC溅射沉积工艺期间支撑至少一个基板的电绝缘的载体。

背景技术

用于在基板上沉积层的技术包括例如热蒸发、化学气相沉积(Chemical VaporDeposition；CVD)和溅射沉积。溅射沉积工艺可以用于在基板上沉积一材料层，诸如绝缘材料层。在溅射沉积工艺期间，利用在等离子体区域中产生的离子，轰击具有要沉积在基板上的靶材材料的靶材以从靶材表面去除靶材材料的原子。去除的原子可以在基板上形成一材料层。在反应溅射沉积工艺中，去除的原子可与等离子体区域中的气体(例如，氮气或氧气)反应以在基板上形成靶材材料的氧化物、氮化物或氮氧化物。

具体地讲，射频(Radio Frequency；RF)溅射工艺用于在越来越多应用(诸如蜂窝电话、笔记本电脑和可植入的医疗装置)中生产涂覆的基板。通常，载体用于在沉积工艺(诸如RF溅射沉积工艺)期间支撑基板。已发现，在溅射沉积工艺期间(具体地在RF溅射工艺期间)，可能因在真空处理腔室内的电位差而发生电弧放电。电弧放电可能破坏例如载体和/或基板。另外，电弧放电可能影响在基板上沉积的材料层的均匀性和/或纯度。

鉴于上述，需要提供克服本领域的至少一些问题的用于在溅射沉积工艺期间支撑至少一个基板的载体。本公开内容具体地旨在提供可减少或甚至避免真空处理腔室中发生电弧放电的载体、设备和方法。本公开内容还旨在允许改善在至少一个基板上沉积的材料层的均匀性和纯度的载体、设备和方法。

发明内容

鉴于上述，提供了根据独立权利要求的用于在溅射沉积工艺期间支撑至少一个基板的载体、用于在至少一个基板上溅射沉积的设备、和用于在至少一个基板上溅射沉积的方法。本公开内容的实施方式的另外方面、优点和特征从从属权利要求、具体实施方式和附图显而易见。

根据本公开内容的一个方面，提供了用于在溅射沉积工艺期间支撑至少一个基板的载体。所述载体包括：非导电的载体主体，具有第一末端和相对的第二末端；电绝缘的第一导引装置，设于陶瓷载体主体的第一末端处；和电绝缘的第二导引装置，设于陶瓷载体主体的第二末端处。

根据本公开内容的另一方面，提供了用于在至少一个基板上溅射沉积的设备。所述设备包括：真空腔室；一个或多个溅射沉积源，在真空腔室中；和根据本文所述的实施方式的载体，用于在溅射沉积工艺期间支撑至少一个基板。

根据本公开内容的又一方面，提供了用于在至少一个基板上溅射沉积的方法。所述方法包括：将至少一个基板定位在根据本文所述的实施方式的载体上；和使用AC溅射沉积工艺在至少一个基板上沉积材料层。

实施方式也涉及用于执行所公开的方法的设备并且包括用于进行每个所述方法方面的设备部分。这些方法方面可通过硬件部件、通过适当软件编程的计算机、这二者的任何组合的方式或以任何其他方式来进行。此外，根据本公开内容的实施方式也涉及用于操作所述设备的方法。用于操作所述设备的方法包括用于执行所述设备的每个功能的方法方面。

附图说明

为了可详细地理解本公开内容的实施方式的上述特征所用方式，在上文简要概述的实施方式的更具体的描述可以参考本文所述的实施方式进行。附图涉及本公开内容的实施方式，并且如下描述：

图1示出了根据本文所述的实施方式的用于在溅射沉积工艺期间支撑至少一个基板的载体的正视图；