[发明专利]通过硅来分配功率的两侧上的金属

权利要求书

1.一种与半导体相关的设备，包括：

包括装置层的电路结构，所述装置层包括多个晶体管装置，所述装置层具有第一侧和相对的第二侧；

供应线，部署在所述第二侧上；以及

接触部，耦合到所述供应线并布线通过所述装置层，并且在所述第一侧上耦合到所述多个晶体管装置中的至少一个，其中所述接触部是源极接触部或者漏极接触部。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个晶体管装置被布置在执行功能并包括邻近晶体管装置的绝缘区域的单元中，并且所述接触部布线通过所述绝缘区域。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述绝缘区域包括开口栅极电极区域。

4.根据权利要求2所述的设备，其中所述接触部在所述单元的端。

5.根据权利要求1或2中任一项所述的设备，其中所述供应线包括正供应线，并且所述接触部是正供应接触部，所述设备还包括部署在所述第二侧上的第二供应线和耦合到所述第二供应线并布线通过所述装置层并且在所述第一侧上耦合到所述多个晶体管装置中的至少一个的第二供应接触部。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述装置层被部署在衬底上，并且所述衬底被部署在所述装置层与所述供应线之间。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述接触部布线通过所述衬底。

8.根据权利要求6所述的设备，其中所述接触部包括布线通过所述衬底的第一部分和从所述衬底布线通过所述装置层的第二部分，其中所述第一部分包括比所述第二部分的体积更大的体积。

9.根据权利要求1或2中任一项所述的设备，其中所述多个晶体管装置被布置在执行功能的单元中，并且所述接触部布线到邻近所述单元的所述第一侧上的分配线。

10.根据权利要求1或2中任一项所述的设备，其中所述多个晶体管装置被布置在执行功能的单元中，并且所述接触部以槽的形式布线到邻近所述单元的所述第一侧。

11.一种与半导体相关的方法，包括：

将供应从封装衬底提供到电路结构的装置层中的至少一个晶体管装置，所述装置层具有装置侧和下侧；以及

使用在所述下侧上的供应线将所述供应分配到所述至少一个晶体管装置，并且通过将接触部从所述供应线布线通过所述装置层来在所述装置侧上接触所述至少一个晶体管装置，其中所述接触部是源极接触部或者漏极接触部。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述至少一个晶体管装置被布置在执行功能并包括邻近晶体管装置的绝缘区域的单元中，并且将所述接触部布线通过所述装置层包括将所述接触部布线通过所述绝缘区域。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述绝缘区域包括开口栅极电极区域。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述接触部布线在所述单元的端。

15.根据权利要求11或12中任一项所述的方法，其中所述供应包括正供应并且所述接触部是正供应接触部，所述方法还包括使用部署在所述下侧上的第二供应线来分配第二供应并且通过将第二供应接触部从所述第二供应线布线通过所述装置层来在所述装置侧上接触所述至少一个晶体管装置。

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述装置层被部署在衬底上，并且所述衬底被部署在所述装置层和所述供应线之间。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述接触部布线通过所述衬底。