[发明专利]通过硅来分配功率的两侧上的金属

说明书

一种设备，包括电路结构，其包括装置层；以及接触部，其耦合到供应线并布线通过所述装置层，并且在第一侧上耦合到至少一个装置。一种方法，包括：将供应从封装衬底提供到电路结构的装置层中的至少一个晶体管；以及使用装置层的下侧上的供应线将供应分配到所述至少一个晶体管，并且通过将接触部从供应线布线通过装置层来接触装置侧上的所述至少一个晶体管。一种系统，包括封装衬底和管芯，所述管芯包括部署在装置层的下侧上并布线通过装置层并且耦合到装置侧上的多个晶体管装置中的至少一个的至少一个供应线。

技术领域

包括装置（包括来自装置的背侧的电连接）的半导体装置。

背景技术

对于过去的几十年，集成电路中特征的缩放已经是不断增长的半导体工业背后的驱动力。缩放成越来越小的特征能够实现半导体芯片的有限基本面（real estate）上功能单元的增加的密度。例如，缩小晶体管尺寸允许在芯片上结合增加的数量的存储器装置，引起具有增加的容量的产品的制作。然而，对于不断更多的容量的驱动并非没有问题。对于优化每个装置的性能的必要性变得愈加显著。

未来电路装置（诸如中央处理单元装置）将期望集成在单个管芯或芯片中的高性能装置和低电容、低功率装置两者。

附图说明

图1示出了包括连接到封装衬底的集成电路芯片或管芯的组合件的一个实施例的横截面示意性侧视图。

图2示出了通过线A-A'的管芯的一部分的横截面侧视图。

图3示出了根据第二实施例的通过线A-A'的管芯的一部分的横截面侧视图。

图4示出了根据第三实施例的通过线A-A'的管芯的一部分的横截面侧视图。

图5示出了根据第四实施例的通过线A-A'的管芯的一部分的横截面侧视图，其中，通过使用较大面积的传导接触部（contact）或通孔以连接装置侧互连并且连接到装置层（device stratum）下的功率线来减小电阻。

图6示出了在实施例中包括背侧或下侧金属化部（metallization）的集成电路管芯的一部分的横截面示意性侧视图，其中功率线从背侧布线通过装置层到装置侧以用于连接到装置。

图7示出了在另一实施例中包括背侧或下侧金属化部的集成电路管芯的一部分的横截面示意性侧视图，其中功率线从背侧布线通过装置层到装置侧以用于连接到装置。

图8示出了在另一实施例中包括背侧或下侧金属化部的集成电路管芯的一部分的横截面示意性侧视图，其中功率线从背侧布线通过装置层到装置侧以用于连接到装置。

图9是用于形成图8中所示的结构的方法的实施例的流程图。

图10是实现一个或多个实施例的内插器（interposer）。

图11示出了计算装置的实施例。

具体实施方式