[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201580083834.6 | 申请日: | 2015-10-15 |
公开(公告)号: | CN108140616B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 中川和之;土屋惠太;佐藤嘉昭;马场伸治 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01G2/06;H01L25/00;H05K3/46 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
半导体器件包含:布线基板,其具备第一面及上述第一面的相反侧的第二面;半导体芯片,其搭载于上述布线基板,并具备多个芯片电极;第一电容器,其在俯视时配置在与上述半导体芯片重叠的位置,且内置于上述布线基板;以及第二电容器,其在俯视时配置在上述第一电容器与上述布线基板的周缘部之间。另外,上述第二电容器以串联连接的方式插入于相对于上述半导体芯片输入或输出电信号的信号传送路径。
技术领域
本发明涉及一种具有搭载有例如半导体芯片及电容器的布线基板的半导体器件。
背景技术
日本特开2010-21275号公报(专利文献1)、日本特开2009-38111号公报(专利文献2)、日本特开2012-89590号公报(专利文献3)、及国际公开第2006/001087号(专利文献4)中记载有在布线基板上搭载有半导体芯片及电容器等芯片部件的半导体器件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-21275号公报
专利文献2:日本特开2009-38111号公报
专利文献3:日本特开2012-89590号公报
专利文献4:国际公开第2006/001087号
发明内容
有一种技术,将多个半导体器件搭载于母板等布线基板上,并将电容器串联连接于将该多个半导体器件彼此电连接的信号路径。该电容器用于阻断交流信号中所含的直流成分,被称为DC(Direct Current:直流)阻断用电容器、或AC(Alternate Current:交流)耦合用电容器(以下称为DC阻断用电容器)。
本申请发明人针对作为将如上述那样在多个半导体器件之间进行信号的输入输出的电子器件小型化的设计的一环而将以往搭载于布线基板上的DC阻断用电容器搭载于半导体器件的内部的技术进行了探讨。
然后,根据上述探讨的结果可知,在仅将DC阻断用的电容器内置于半导体器件的内部的情况下,根据电容器的布局,从半导体器件的电特性及可靠性的观点来看是有问题的。
其它问题及新特征从本说明书的记述及附图而变得明朗。
一实施方式的半导体器件包含:布线基板,其具备第一面及上述第一面的相反侧的第二面;半导体芯片,其搭载于上述布线基板,并具备多个芯片电极;第一电容器,其在俯视时配置在与上述半导体芯片重叠的位置,且内置于上述布线基板;第二电容器,其在俯视时配置在上述第一电容器与上述布线基板的周缘部之间。另外,上述第二电容器以串联连接的方式插入于相对于上述半导体芯片输入或输出电信号的信号传送路径。
发明效果
根据上述一实施方式,能够提高半导体器件的电特性及可靠性。
附图说明
图1是表示包含作为一实施方式的半导体器件在内的电子器件的结构例的说明图。
图2是表示图1所示的电子器件所具备的电路的结构例的说明图。
图3是图1所示的多个半导体器件中内置DC阻断用的电容器的半导体器件的俯视图。
图4是图3所示的半导体器件的仰视图。
图5是表示在拆下了图3所示的散热板的状态下布线基板上的半导体器件的内部构造的俯视图。
图6是沿着图3的A-A线的剖视图。
图7是表示图5所示的多个电容器中的一个的俯视图。
图8是沿着图7的A-A线的剖视图。
图9是作为相对于图6的变形例的半导体器件的放大剖视图。
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