[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201580084162.0 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN108352321B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 巢山拓郎 | 申请（专利权）人： | 奥林巴斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其具有：
半导体元件，其在第一主面形成有半导体电路，在与所述第一主面对置的第二主面具有通孔，该通孔具有开口；
第一布线，其配设于所述半导体元件的所述第一主面侧，与所述半导体电路连接，该第一布线构成所述通孔的底面的一部分；
第一绝缘层，其覆盖所述第一布线；以及
再布线，其从在所述通孔的底面与所述第一布线接触的触头部经由所述通孔的内部延伸设置至所述第二主面上，
其特征在于，
在所述第一布线上形成有多个缝状的第一贯通孔，所述缝状的所述第一贯通孔的两端延伸至所述通孔的底面的外侧，所述触头部与所述第一布线的多个面接触。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
该半导体装置还具有第二布线，该第二布线配设在所述第一绝缘层上，与所述半导体电路和所述第一布线连接，
所述第一贯通孔贯穿所述第一布线和所述第一绝缘层，所述触头部与所述第二布线接触。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
该半导体装置还具有第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖所述第二布线，
在所述第二布线上形成有与所述第一布线的所述第一贯通孔垂直的方向上的多个缝状的第二贯通孔。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体电路是受光电路，
所述第一绝缘层覆盖所述受光电路，所述第一绝缘层由透明材料构成。
5.一种半导体装置，其具有：
半导体元件，其在第一主面形成有半导体电路，在与所述第一主面对置的第二主面具有通孔，该通孔具有开口；
第一布线，其配设于所述半导体元件的所述第一主面侧，与所述半导体电路连接，该第一布线构成所述通孔的底面的一部分；
第一绝缘层，其覆盖所述第一布线；
第二布线，该第二布线配设在所述第一绝缘层上；
第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖所述第二布线；以及
再布线，其从在所述通孔的底面与所述第一布线接触的触头部经由所述通孔的内部延伸设置至所述第二主面上，
其特征在于，
在所述第一布线和所述第一绝缘层上形成有多个缝状的第一贯通孔，所述触头部与所述第一布线的多个面接触，所述触头部与所述第二布线接触，
在所述第二布线上形成有与所述第一布线的所述第一贯通孔垂直的方向上的多个缝状的第二贯通孔，所述第一贯通孔和所述第二贯通孔在所述通孔延伸的方向上部分重叠。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：
所述半导体电路是受光电路，
所述第一绝缘层覆盖所述受光电路，所述第一绝缘层由透明材料构成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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