[发明专利]半导体装置

说明书

半导体装置(1)具有：半导体元件(10)，其在第一主面(10SA)形成有半导体电路(11)，在第二主面(10SB)具有通孔(H10)，该通孔(H10)具有开口；第一布线(21A)，其配设于所述半导体元件(10)的所述第一主面(10SA)，与所述半导体电路(11)连接，该第一布线(21A)的一部分在所述通孔(H10)的底面露出；第一绝缘层(22A)，其覆盖所述第一布线(21A)；以及再布线(30)，其从在所述通孔(H10)的底面与所述第一布线(21A)接触的触头部(30A)经由所述通孔(H10)的内部延伸设置至所述第二主面(10SB)上，在所述第一布线(21A)上形成有第一贯通孔(H21A)，所述触头部(30A)与所述第一布线(21A)的多个面接触。

技术领域

本发明涉及半导体装置，该半导体装置具有：半导体元件，其在第一主面形成有半导体电路，在第二主面具有通孔，该通孔具有开口；以及再布线，其从所述通孔的底面的触头部延伸设置至第二主面上。

背景技术

近年来，对于半导体装置的小型化和薄型化等要求正在提高。因此，开发了具有贯穿半导体元件的贯通布线的芯片尺寸封装(CSP)型的半导体装置。在日本特开2010-205921公报中公开了如下的半导体装置：将半导体元件的形成有半导体电路的第一主面上的布线经由再布线而延伸设置至第二主面上。再布线通过在第二主面上与在具有开口的通孔的底面露出的第一主面上的布线的背面接触而电连接。

在上述半导体装置中，覆盖通孔的内表面的绝缘层的一部分也残存在通孔的底面。因此，在再布线的通孔底面的触头部具有凹凸。但是，第一主面上的布线仅与触头部的上表面接触。即。通孔的触头部与第一主面上的布线的接触是平坦面与平坦面的面接触。因此，有可能触头部的接合强度不足、或者接触电阻增加而导致可靠性降低。

另外，在日本特开平5-09730号公报中公开了降低通孔的接触电阻的半导体装置的制造方法。在上述半导体装置的制造方法中，为了增加触头部分的表面积，在配设了具有凹凸的多晶硅膜之后，通过离子注入使多晶硅膜成为金属硅化物基底层。即，在配设了具有凹凸的基底膜之后，配设形成有通孔的绝缘层。

因此，无法将上述半导体装置的制造方法应用于贯穿半导体元件的贯通布线的触头部。另外，即使在接触面上具有凹凸，通孔的触头部与第一主面上的布线的接触也是面与面的面接触。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-205921号公报

专利文献2：日本特开平5-09730号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的实施方式的目的在于提供从半导体元件的通孔的底面的触头部延伸设置至第二主面上的再布线的所述触头部的连接可靠性高的半导体装置。

用于解决课题的手段

本发明的实施方式的半导体装置具有：半导体元件，其在第一主面形成有半导体电路，在与所述第一主面对置的第二主面具有通孔，该通孔具有开口；第一布线，其配设于所述半导体元件的所述第一主面，与所述半导体电路连接，该第一布线构成所述通孔的底面的一部分；第一绝缘层，其覆盖所述第一布线；以及再布线，其从在所述通孔的底面与所述第一布线接触的触头部经由所述通孔的内部延伸设置至所述第二主面上，在所述第一布线上形成有第一贯通孔，所述触头部与所述第一布线的多个面接触。

发明效果

根据本发明的实施方式，能够提供从半导体元件的通孔的底面的触头部延伸设置至第二主面上的再布线的所述触头部的连接可靠性高的半导体装置。

附图说明

图1是第一实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是第一实施方式的半导体装置的仰视图。