[发明专利]被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统、用于溅射沉积腔室的屏蔽装置及用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽的方法

说明书

本公开内容提供一种被配置为用于在基板(10)上进行溅射沉积的系统(100)。该系统(100)包括具有处理区(112)的溅射沉积腔室(110)、布置于该处理区(112)的第一侧处的一或多个溅射沉积源(120)及布置在该处理区(112)的第二侧处的屏蔽装置(130)，其中该屏蔽装置(130)包括安装至该溅射沉积腔室(110)的框架组件(132)及可分离地安装于该框架组件(132)上的一或多个传导片(134)，其中所述一或多个传导片(134)提供沿该处理区(112)布置的表面(136)。

技术领域

本公开内容的实施方式涉及被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统、用于溅射沉积腔室的屏蔽装置及用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽的方法。本公开内容的实施方式具体地涉及AC溅射或具有AC部件的溅射(且具体而言为RF溅射)中使用的电屏蔽件。

背景技术

用于在基板上进行层沉积的技术例如包括溅射沉积、热蒸发及化学气相沉积(CVD)。溅射沉积工艺可用以在诸如绝缘材料层的基板上沉积材料层，例如薄膜。在溅射沉积工艺期间，以在等离子体区中所产生的离子撞击具有待沉积在基板上的靶材料的靶，以从靶的表面逐出(dislodge)靶材料原子。被逐出的原子可在基板上形成材料层。在反应性的溅射沉积工艺中，被逐出的原子可与等离子体区带中的气体(例如氮或氧)反应，以在基板上形成靶材料的氧化物、氮化物或氮氧化物。

在溅射沉积工艺期间，例如在制造显示器、触控屏面板或薄膜电池时，不均匀的薄膜沉积或打弧(arcing)可能由于真空处理腔室(例如溅射沉积腔室)内的电位差而发生。打弧可能例如损坏基板载体和/或基板。进一步地，打弧可能影响基板上沉积的材料层的均质性和/或纯度。此外，从AC电源到真空处理腔室内的结构(例如接地结构)且回到AC电源的电路径的存在可能导致寄生等离子体(parasitic plasma)的形成。寄生等离子体可能减少溅射沉积工艺的效率(例如，基板表面上的溅射功率及沉积速率)。进一步地，可能减少材料层的品质，例如均质性和/或纯度。

进一步地，溅射沉积系统的效率可能取决于其相关于跨基板区域和/或跨薄膜厚度的同质薄膜属性而产生均质薄膜沉积的能力。空间(例如，针对定义溅射沉积系统中的沉积区的元件的空间布置)内及时间内的几何形状及电的均质性是有益的，例如，沿基板的输送方向(例如在直列式沉积系统内从沉积隔室到沉积隔室)是有益的。

综上所述，克服了本领域中至少一部分的问题的被配置为用于在基板上进行溅射沉积的新系统、用于溅射沉积腔室的屏蔽装置及用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽的方法是有益的。本公开内容具体地旨在提供可减少或甚至防止溅射沉积腔室中的打弧和/或寄生等离子体发生的系统、屏蔽装置及方法。

发明内容

鉴于以上所述，提供被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统、用于溅射沉积腔室的屏蔽装置及用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽的方法。本公开内容的进一步方面、益处及特征由权利要求、本说明及随附的绘图得以显现。

依据本公开内容的一方面，提供一种被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统。该系统包括具有处理区的溅射沉积腔室、布置于该处理区的第一侧处的一或多个溅射沉积源及布置在该处理区的第二侧处的屏蔽装置，其中该屏蔽装置包括安装至该溅射沉积腔室的框架组件及可分离地安装于该框架组件上的一或多个传导片，且其中所述一或多个传导片提供沿该处理区布置的表面。

依据本公开内容的一方面，提供一种用于溅射沉积腔室的屏蔽装置。该屏蔽装置包括：框架组件，被配置为安装至该溅射沉积腔室且在该溅射沉积腔室中沿处理区而安装；及一或多个传导片，可分离地安装于该框架组件上，其中所述一或多个传导片被配置为面向该处理区。

依据本公开内容的进一步方面，提供一种用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽方法。该方法包括以下步骤：使用可分离地安装在框架组件上的一或多个传导片在该溅射沉积腔室中沿处理区提供等位(equipotential)面。