[发明专利]功率半导体装置有效

专利信息
申请号: 201580084964.1 申请日: 2015-12-04
公开(公告)号: CN108369943B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 荒木翔子;林田幸昌;伊达龙太郎 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/04;H01L25/18;H05K7/06
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率 半导体 装置
【说明书】:

目的在于提供一种能够使结构要素的配置、位置关系及尺寸具有裕度的技术。功率半导体装置具有:基板,其配置有半导体芯片;电极(2),其一端固定于基板,该电极相对于基板设置为立置状;以及绝缘性的壳体(3),其收容电极(2),该壳体具有与电极(2)的另一端相对的部分。另外,功率半导体装置具有:导电性的螺母(4),其在壳体(3)的该部分贯通地插入于壳体(3);以及导电部件,其将电极(2)的另一端和螺母(4)电连接。

技术领域

本发明涉及具有壳体的功率半导体装置。

背景技术

当前,对于从功率半导体装置的壳体内部的半导体芯片向壳体外部的电配线而言,使用将由板状的金属构成的电极贯通地插入于壳体的结构(例如,专利文献1)。具体而言,电极的一端通过焊料等与装置内部固定,电极的另一端被折弯成与壳体上表面平行。

专利文献1:日本特开2007-184315号公报

发明内容

由于位于壳体上表面的电极的另一端通过螺栓等与外部配线连接,因此针对电极等的配置、位置关系及尺寸要求一定的精度。其结果,存在电极构造变得复杂、电极的成本增加的问题,以及难以制造的问题。

因此,本发明就是鉴于上述问题而提出的,其目的在于提供一种能够使结构要素的配置、位置关系及尺寸具有裕度的技术。

本发明涉及的功率半导体装置具有:基板,其配置有半导体芯片;电极,其一端固定于所述基板,该电极相对于所述基板设置为立置状;绝缘性的壳体,其收容所述电极,该壳体具有与所述电极的另一端相对的部分;导电性的螺母,其在所述壳体的所述部分贯通地插入于所述壳体;以及导电部件,其将所述电极的所述另一端和所述螺母电连接。

发明的效果

根据本发明,电极与螺母通过双头螺栓等导电构件电连接。由此,能够使结构要素的配置、位置关系及尺寸具有裕度。

通过下面的详细的说明和附图,本发明的目的、特征、方案及优点会变得更加清楚。

附图说明

图1是表示关联半导体装置的结构的剖视图。

图2是表示实施方式1涉及的功率半导体装置的结构的剖视图。

图3是表示实施方式2涉及的功率半导体装置的结构的剖视图。

图4是表示实施方式3涉及的功率半导体装置的结构的剖视图。

图5是表示实施方式3涉及的功率半导体装置的结构的剖视图。

图6是表示实施方式4涉及的功率半导体装置的结构的剖视图。

具体实施方式

[实施方式1]

首先,在对本发明的实施方式1涉及的功率半导体装置进行说明之前,对与其关联的功率半导体装置(下面,记为“关联半导体装置”)进行说明。

图1是表示关联半导体装置的结构的剖视图。关联半导体装置具有:绝缘基板1,其为配置有半导体芯片(未图示)的基板;电极2;绝缘性的壳体3;以及螺母4。

下面,将半导体芯片的半导体元件设为具有高耐压性、低导通电阻、及高耐热性的由碳化硅(SiC)构成的半导体元件而进行说明,但并不限于此。例如,半导体芯片的半导体元件也可以由SiC以外的氮化镓(GaN)等宽带隙半导体、或硅(Si)构成。

电极2由金属构成,其形状为在多个位置折弯的板状。电极2的一端通过焊料等固定于半导体芯片的绝缘基板1,与在绝缘基板1配置的半导体芯片电连接。另外,电极2相对于绝缘基板1设置为立置状。

壳体3将电极2的一端覆盖。另外,壳体3被电极2贯穿,电极2的另一端位于壳体3的外部。

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