[发明专利]半导体器件驱动电路有效

专利信息
申请号: 201580085115.8 申请日: 2015-12-10
公开(公告)号: CN108370213B 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 外园和也;山本晃央;王东 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H03K5/003;H03K17/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种半导体器件驱动电路,其具备:

信号传送电路,其包含将具有第1电压电平的输入信号进行电平移位的第1电平移位主电路,该信号传送电路基于所述输入信号生成具有比所述第1电压电平高的第2电压电平的驱动信号;以及

不饱和电压检测电路,其在检测出由所述驱动信号驱动的半导体开关元件的不饱和电压的情况下,将具有所述第1电压电平的第1错误信号输出,

通过将所述第1错误信号进行电平移位或根据对将所述第1错误信号变换为脉冲信号而得到的变换信号进行电平移位后的信号,生成具有所述第2电压电平的第2错误信号,

该半导体器件驱动电路还具备软切断电路,该软切断电路如果被输入了所述第2错误信号,则变更所述半导体开关元件的驱动信号,以使得所述半导体开关元件进行软切断。

2.根据权利要求1所述的半导体器件驱动电路,其中,

具备第2电平移位主电路,

通过使用所述第2电平移位主电路将所述第1错误信号进行电平移位,从而生成所述第2错误信号。

3.根据权利要求1所述的半导体器件驱动电路,其中,

将所述变换信号输入至所述第1电平移位主电路,基于通过所述第1电平移位主电路将所述变换信号进行电平移位后的信号,生成所述第2错误信号。

4.根据权利要求3所述的半导体器件驱动电路,其中,

所述信号传送电路包含:初级侧信号传送电路,其设置在所述第1电平移位主电路的前级;以及次级侧信号传送电路,其设置在所述第1电平移位主电路的后级,

所述初级侧信号传送电路响应于所述输入信号的上升沿而生成所述第1电压电平的第1接通脉冲信号,响应于所述输入信号的下降沿而生成所述第1电压电平的第1断开脉冲信号,

所述第1电平移位主电路将所述第1接通脉冲信号进行电平移位而生成所述第2电压电平的第2接通脉冲信号,将所述第1断开脉冲信号进行电平移位而生成所述第2电压电平的第2断开脉冲信号,

所述次级侧信号传送电路生成响应于所述第2接通脉冲信号的输入而上升且响应于所述第2断开脉冲信号的输入而下降的脉冲信号,作为所述驱动信号,

所述变换信号的脉宽与所述第1断开脉冲信号不同,

在所述不饱和电压检测电路没有输出所述第1错误信号的情况下,

所述初级侧信号传送电路将所述第1断开脉冲信号输入至所述第1电平移位主电路,

在所述不饱和电压检测电路输出所述第1错误信号的情况下,

替代所述第1断开脉冲信号,所述初级侧信号传送电路将所述变换信号输入至所述第1电平移位主电路,

基于利用所述第1电平移位主电路将所述变换信号进行电平移位后的信号,生成所述第2错误信号。

5.根据权利要求3所述的半导体器件驱动电路,其中,

所述信号传送电路包含:初级侧信号传送电路,其设置在所述第1电平移位主电路的前级;以及次级侧信号传送电路,其设置在所述第1电平移位主电路的后级,

所述初级侧信号传送电路响应于所述输入信号的上升沿而生成所述第1电压电平的第1接通脉冲信号,响应于所述输入信号的下降沿而生成所述第1电压电平的第1断开脉冲信号,

所述第1电平移位主电路将所述第1接通脉冲信号进行电平移位而生成所述第2电压电平的第2接通脉冲信号,将所述第1断开脉冲信号进行电平移位而生成所述第2电压电平的第2断开脉冲信号,

所述次级侧信号传送电路生成响应于所述第2接通脉冲信号的输入而上升且响应于所述第2断开脉冲信号的输入而下降的脉冲信号,作为所述驱动信号,

所述变换信号的每一个输出的脉冲数量与所述第1断开脉冲信号不同,

在所述不饱和电压检测电路没有输出所述第1错误信号的情况下,

所述初级侧信号传送电路将所述第1断开脉冲信号输入至所述第1电平移位主电路,

在所述不饱和电压检测电路输出所述第1错误信号的情况下,

替代所述第1断开脉冲信号,所述初级侧信号传送电路将所述变换信号输入至所述第1电平移位主电路,

基于利用所述第1电平移位主电路将所述变换信号进行电平移位后的信号,生成所述第2错误信号。

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