[发明专利]半导体器件驱动电路

说明书

半导体器件驱动电路具备：信号传送电路，其包含将具有第1电压电平的输入信号进行电平移位的第1电平移位电路，信号传送电路基于所述输入信号生成具有比所述第1电压电平高的第2电压电平的驱动信号；以及不饱和电压检测电路，其在检测出由所述驱动信号驱动的半导体开关元件的不饱和电压的情况下，将具有所述第1电压电平的第1错误信号输出。半导体器件驱动电路通过将所述第1错误信号或变换信号进行电平移位，从而生成具有所述第2电压电平的第2错误信号，该变换信号为将所述第1错误信号变换为脉冲信号后的信号。半导体器件驱动电路还具备软切断电路，该软切断电路如果被输入了所述第2错误信号，则变更所述半导体开关元件的驱动信号，以使得所述半导体开关元件进行软切断。

技术领域

本发明涉及半导体器件驱动电路。

背景技术

以往，例如，如日本特开2004-201486号公报公开所示，作为高电位侧半导体开关元件的短路保护功能，已知对半导体开关元件的不饱和进行检测的方法。在半导体开关元件为通常的接通状态时，半导体开关元件的端子间电压变为饱和电压。但是，如果半导体开关元件变为短路状态，则由于过电流，半导体开关元件的端子间电压从饱和电压上升，由此变为不饱和电压。上述日本特开2004-201486号公报公开了如下技术，即，通过检测不饱和电压，从而对高电位侧半导体开关元件的短路进行检测，进行高电位侧半导体开关元件的短路保护。此外，有时也将“不饱和”记为“DESAT”，有时也将“不饱和电压”记为“DESAT电压”。

专利文献1：日本特开2004-201486号公报

发明内容

已知一种半导体器件驱动电路，其通过将输入至低电位侧的输入信号进行电平移位，从而生成高电位的驱动信号。作为半导体器件驱动电路的电路结构的具体例子，存在下述结构，即，具备电平移位电路、初级侧电路及次级侧电路，该初级侧电路设置在电平移位电路的前级，以低电压电平进行动作，该次级侧电路设置在电平移位电路的后级，以高电压电平进行动作。如果将输入信号输入至初级侧电路，则经由电平移位电路将该输入信号进行电平移位，经由次级侧电路将驱动信号输出。将驱动信号供给至高电位侧半导体开关元件的控制端子。

作为半导体开关元件的切断方法，具有硬切断和软切断。硬切断是使半导体开关元件的栅极电压急剧下降，将半导体开关元件急剧地切断。软切断是使半导体开关元件的栅极电压平缓地降低，相比于硬切断平缓地将半导体开关元件切断。如果在进行短路保护时将半导体开关元件急剧地切断，则会由于急剧的di/dt而产生过大的浪涌。为了避免该情况，优选在短路保护时不进行硬切断而进行软切断。在基于驱动信号的通断的半导体开关元件的通常断开动作中，进行硬切断。另一方面，软切断为与通常断开动作不同的动作，用于软切断的平缓下降的驱动信号被从次级侧电路供给至高电位侧半导体开关元件。

本申请的发明人针对在低电位侧对高电位侧半导体开关元件的不饱和电压进行检测的技术进行了深入研究。如果是在高电位侧对高电位侧半导体开关元件的不饱和电压进行检测的电路结构，则通过在次级侧电路内对检测出不饱和电压的错误信息进行处理，从而将高电位侧半导体开关元件切断即可。但是，对于本申请的发明人所调查研究的在低电位侧进行高电位侧半导体开关元件的不饱和电压的检测的电路结构而言，需要将与通常断开动作相关的信号和检测出不饱和电压的错误信息在彼此进行区别的同时向高电位侧电路正确传送，在此基础上，制作出用于软切断的驱动信号。针对这样的在低电位侧对高电位侧半导体开关元件的不饱和电压进行检测的技术，以往没有进行充分的调查研究。

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于提供半导体器件驱动电路，该半导体器件驱动电路能够在低电位侧对不饱和电压进行检测，并且对高电位侧半导体开关元件恰当地进行短路保护。