[发明专利]形成用于纳米线设备结构的自对准垫片的方法

权利要求书

1.一种微电子结构，其包括：

沟道结构，其包括第一纳米线和第二纳米线；

邻近纳米线沟道结构的源极/漏极结构，其中所述源极/漏极结构包括邻近所述源极/漏极结构的侧壁区域的衬垫，以及其中所述衬垫邻近第一和第二纳米线中的至少一个；以及

所述第一纳米线和所述第二纳米线之间的内部垫片结构，其中所述内部垫片结构除了氧或氮中的至少一种之外还包括所述衬垫的一种或多种组成成分，

其中所述内部垫片包括碳化硅的氧化物。

2.根据权利要求1所述的结构，其中所述衬垫材料包括：从由硅和碳组成的组中选择的材料。

3.根据权利要求2所述的结构，其中所述衬垫材料包括碳化硅材料，其中碳百分比是在百分之1碳到百分之30碳之间。

4.根据权利要求1所述的结构，其中所述衬垫包括0.5 nm到5 nm之间的厚度。

5.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一和第二纳米线中的至少一个包括硅。

6.根据权利要求1所述的结构，其中所述衬垫的一部分与所述内部垫片直接接触。

7.根据权利要求1所述的结构，其中所述内部垫片结构不完全跨越沟道区进行延伸。

8.一种设备结构，其包括：

沟道结构，其包括第一纳米线和第二纳米线，其中第一和第二纳米线被分离一定距离；

邻近所述沟道结构的源极/漏极结构，其中衬垫被布置在下述各项的至少一部分上：所述源极/漏极结构的第一侧、第二侧和底部；以及

垫片结构，其与衬垫的一部分相接触并且被布置在所述第一纳米线和所述第二纳米线之间，其中所述垫片结构除了氧或氮中的至少一种之外还包括所述衬垫的一种或多种组成成分，

其中所述垫片结构包括碳化硅的氧化物。

9.根据权利要求8所述的设备结构，其中所述垫片结构包括介电材料，并且不完全跨越所述沟道结构进行延伸。

10.根据权利要求8所述的设备结构，进一步包括：耦合到所述源极/漏极结构的源极/漏极接触部。

11.根据权利要求8所述的设备结构，其中所述设备包括NMOS或PMOS晶体管结构中的一个的一部分。

12.根据权利要求8所述的设备结构，其中所述设备包括下述各项中的一个：非平面设备、栅极全包围设备或纳米线设备。

13.根据权利要求8所述的设备结构，其中所述第一和第二纳米线包括硅。

14.根据权利要求8所述的设备结构，其中所述垫片结构包括衬垫材料的经化学转化的部分。

15.根据权利要求8所述的设备结构，其中所述设备结构包括：纳米带晶体管结构。

16.一种形成微电子结构的方法，其包括：

在基板上形成多层鳍结构，其中所述多层鳍结构包括牺牲材料和纳米线材料的交替层；

在所述多层鳍结构上形成栅极，其中所述多层鳍结构的一部分包括沟道区；

邻近所述沟道区形成源极/漏极结构，其中在所述源极/漏极结构的至少侧壁部分上形成衬垫，其中所述衬垫邻近所述纳米线材料；

通过选择性蚀刻在所述沟道区中形成纳米线；以及

氧化衬垫材料的一部分，其中所述衬垫材料的被氧化部分在邻近的纳米线之间形成纳米线垫片，

其中所述衬垫材料包括碳和硅。

17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：其中通过从所述沟道区蚀刻所述牺牲材料来形成所述纳米线。