[发明专利]形成用于纳米线设备结构的自对准垫片的方法

说明书

描述了形成自对准纳米线垫片结构的方法。实施例包括：形成包括第一纳米线和第二纳米线的沟道结构。邻近沟道结构形成源极/漏极结构，其中衬垫材料被布置在源极/漏极结构的侧壁的至少一部分上。在第一和第二纳米线之间形成纳米线垫片结构，其中纳米线垫片包括衬垫的被氧化部分。

背景技术

集成电路部件的更高性能、更低成本、增加的小型化是微电子产业对于微电子设备制造而言的持续目标。为了实现这些目标，微电子设备内的晶体管必须按比例缩小，即变得更小。连同晶体管大小上的缩小，还存在着一种驱动力来利用在它们的设计、所使用的材料方面和/或它们的制造过程中的改善来改善它们的效率。这样的设计改善包括独特结构的开发，诸如非平面晶体管，其包括三栅极晶体管、FinFET、TFETS、欧米加FET、纳米线、纳米带、双栅极和栅极全包围（GAA）晶体管。

附图说明

虽然本说明书以特别地指出且明确地要求保护某些实施例的权利要求作为结束，但是可以根据当结合附图进行解读时的本发明的以下描述来更容易地确认这些实施例的优点，在附图中：

图1表示根据实施例的非平面晶体管结构的透视图。

图2表示根据实施例的结构的截面图。

图3表示根据实施例的结构的截面图。

图4表示根据实施例的结构的截面图。

图5表示根据实施例的结构的截面图。

图6表示根据实施例的结构的截面图。

图7表示根据实施例的结构的截面图。

图8表示根据实施例的结构的截面图。

图9表示根据实施例的结构的截面图。

图10表示根据实施例的结构的截面图。

图11表示根据实施例的结构的截面图。

图12表示根据实施例的方法的流程图。

图13表示实现一个或多个实施例的中介层（interposer）。

图14表示根据实施例的系统的示意图。

具体实施方式

在以下详细描述中，对附图做出参考，附图作为图示示出了其中可以实践方法和结构的具体实施例。足够详细地描述这些实施例以使得本领域技术人员能够实践实施例。要理解的是，各种实施例尽管不同，但不一定是相互排斥的。例如，可以在不偏离实施例的精神和范围的情况下，在其他实施例内实现在本文中结合一个实施例所描述的特定特征、结构或特性。此外，要理解的是，可以在不偏离实施例的精神和范围的情况下，修改每个公开的实施例内的各个要素的位置或布置。因此，并不以限制意义考虑以下详细描述，并且实施例的范围仅由适当阐释的所附权利要求以及对权利要求所赋予的等价方式的全部范围来限定。在附图中，遍及若干视图，相同的数字可以指代相同或类似的功能性。如本文中使用的术语“在……之上”、“到……”、“在……之间”和“在……上”指代一层相对于其他层的相对位置。一层“在”另一层“之上”或“上”或者结合“到”另一层可以是与该另一层直接接触，或者可以具有一个或多个介于中间的层。一层“在”多层“之间”可以是与所述层直接接触，或者可以具有一个或多个介于中间的层。层和/或结构彼此“邻近”可以具有或可以不具有它们之间的介于中间的结构/层。

可以在诸如半导体基板之类的基板上形成或实施本文中的实施例的实现方式。在一个实现方式中，半导体基板可以是使用块体硅或绝缘体上硅底层结构所形成的晶态基板。在其他实现方式中，可以使用可以与硅组合或可以不与硅组合的替代材料来形成半导体基板，该替代材料包括但不限于锗、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓、砷化铟镓、锑化镓或者III-V族或IV族材料的其他组合。虽然此处描述了可以由其形成基板的材料的几个示例，但是可以用作可以在其上构建半导体设备的基础的任何材料都落入本精神和范围内。