[发明专利]具有电磁干扰屏蔽的半导体封装

权利要求书

1.一种微电子封装，包括：

具有顶部衬底表面和衬底外周边的衬底，所述顶部衬底表面具有在其上安装的电子组件，并且所述顶部衬底表面沿所述衬底外周边的至少一部分具有导电迹线；

在所述顶部衬底表面上方提供的模塑化合物，其具有底部模塑表面、顶部模塑表面和大体上覆盖所述衬底外周边的模塑侧壁；

在所述顶部模塑表面上方提供的金属片；以及

在所述模塑侧壁上提供的环氧化物，其中所述环氧化物包括导电颗粒，并且其中所述环氧化物电耦合到所述金属片。

2.如权利要求1所述的微电子封装，其中所述环氧化物还电耦合到所述导电迹线。

3.如权利要求2所述的微电子封装，其中所述导电迹线电连接到以下至少其中之一：(ⅰ) 地；(ⅱ) 直流（DC）电压；或(ⅲ) 所述微电子封装的电源线电压。

4.如权利要求1所述的微电子封装，其中所述衬底包括核心层和具有金属线的至少一个构建层，其中所述金属线包括至少所述导电迹线。

5.如权利要求1所述的微电子封装，其中所述模塑化合物包括热固性环氧化合物。

6.如权利要求1所述的微电子封装，其中所述环氧化物是第一环氧化物，并且其中所述微电子封装包括部署在所述顶部模塑表面和所述金属片之间的第二环氧化物。

7.如权利要求6所述的微电子封装，其中所述金属片包括层压铜片，并且其中所述层压铜片通过所述第二环氧化物粘附到所述顶部模塑表面。

8.如权利要求1所述的微电子封装，其中所述环氧化物包括以下至少其中之一：(ⅰ) 固化的导电墨；(ⅱ) 固化的导电浆料；或(ⅲ) 银纳米颗粒。

9.如权利要求1所述的微电子封装，其中所述电子组件是第一电子组件，并且其中所述微电子封装还包括：

第二电子组件；以及

导电结构，其电连接到所述导电迹线和所述金属片，并部署在所述第一电子组件和所述第二电子组件之间在所述模塑中形成的从所述底部模塑表面延伸到所述顶部模塑表面的沟槽中。

10.如权利要求1所述的微电子封装，还包括部署在所述衬底的底部衬底表面上的多个封装至板电连接。

11.一种用于微电子封装的方法，包括：

提供具有面板顶表面的封装衬底面板；

将第一电子组件和第二电子组件电附连到所述面板顶表面；

在所述面板顶表面上形成模塑，所述模塑具有接触所述面板顶表面的底部模塑表面和顶部模塑表面，其中所述模塑包封所述第一电子组件和所述第二电子组件；

在所述顶部模塑表面上沉积第一环氧化物；

在所述模塑中形成多个沟槽，所述多个沟槽中的每个沟槽从所述底部模塑表面延伸到所述顶部模塑表面；

用第二环氧化物填充所述多个沟槽，其中所述第二环氧化物包括导电颗粒；

在所述第一环氧化物上方层压金属片；以及

穿过所述多个填充的沟槽中的第一沟槽和所述封装衬底面板的基底部分而分离所述封装衬底面板的一部分。

12.如权利要求11所述的方法，还包括穿过所述多个填充的沟槽中的第一沟槽和所述封装衬底面板的基底部分而分离所述封装衬底面板的一部分。

13.如权利要求12所述的方法，其中穿过所述多个填充的沟槽中的所述第一沟槽和所述封装衬底面板的所述基底部分而分离所述封装衬底面板的所述部分包括：

切穿所述填充的沟槽以及所述封装衬底面板的所述基底部分，切口具有切口宽度，其中所述切口宽度小于所述多个填充的沟槽中的所述第一沟槽的宽度。