[发明专利]一种用于LTE频段的双极化微带缝隙天线

权利要求书

1.一种用于LTE频段的双极化微带缝隙天线，其特征在于，包括：

用以反射电磁波的金属反射板,所述金属反射板为一截面呈U形的型腔；

固定装设在所述金属反射板中的第一PCB介质基板，所述第一PCB介质基板与所述金属反射板的底板间保持一定的距离；

固定装设在所述金属反射板中的第二PCB介质基板，所述第二PCB介质基板位于所述第一PCB介质基板的邻侧且与所述第一PCB介质基板保持一定的距离；其中：

所述第一PCB介质基板和所述第二PCB介质基板通过螺钉固定在金属反射板的U形型腔内；所述第一PCB介质基板的顶面、底面以及所述第二PCB介质基板的顶面上均覆有金属铜层，所述第一PCB介质基板顶面的金属铜层上至少设有两组相互正交的用以辐射电磁波的耦合缝隙，所述第一PCB介质基板底面的金属铜上至少设有两组相互正交的馈电电路，用以激励出相互正交的电场；所述馈电电路包括第一馈电电路和第二馈电电路，所述第一馈电电路和/或所述第二馈电电路的末端设置用以增加所述耦合缝隙电磁耦合量的折弯，所述第一馈电电路和所述第二馈电电路为等幅同相的二功分，所述折弯呈L形；

所述第二PCB介质基板顶面的金属铜层上设有金属辐射贴片，用以对来自所述耦合缝隙的电磁波进行耦合并产生寄生辐射，所述金属辐射贴片包括：金属辐射贴片本体和围挡在所述金属辐射贴片本体外周的金属围栏，所述金属围栏与所述金属辐射贴片本体保持一定的距离，使在所述金属围栏和所述金属辐射贴片本体之间留有缝隙，用以产生多个频率的寄生辐射和拓宽天线的带宽。

2.如权利要求1所述的用于LTE频段的双极化微带缝隙天线，其特征在于，所述耦合缝隙包括第一耦合缝隙、第二耦合缝隙，第三耦合缝隙以及第四耦合缝隙，所述第一耦合缝隙和所述第二耦合缝隙设置在同一直线上，所述第三耦合缝隙和所述第四耦合缝隙设置在同一直线上，所述第一耦合缝隙和所述第二耦合缝隙所在的直线垂直于所述第三耦合缝隙和所述第四耦合缝隙所在的直线，其中：

所述第一耦合缝隙、第二耦合缝隙、所述第三耦合缝隙以及所述第四耦合缝隙彼此之间分别设有一定的距离，用以提高天线的隔离度。

3.如权利要求2所述的用于LTE频段的双极化微带缝隙天线，其特征在于，任一所述第一耦合缝隙、第二耦合缝隙，第三耦合缝隙以及第四耦合缝隙包括：缝隙本体和自所述缝隙本体的端部延伸设置的头部，所述头部的延展方向与所述缝隙本体的延展方向垂直，其中：通过改变所述头部延展方向的长度以降低所述缝隙本体延展方向的长度。

4.如权利要求3所述的用于LTE频段的双极化微带缝隙天线，其特征在于，所述缝隙本体的宽度与第一PCB介质基板上具有的微带线的宽度比范围为0.8-1.2，所述缝隙本体的长度取值范围为电磁波长的0.3-0.5倍。

5.如权利要求1所述的用于LTE频段的双极化微带缝隙天线，其特征在于，所述第一馈电电路包括两个分支，所述第二馈电电路包括两个分支，其中：所述第一馈电电路的一个分支与所述第二馈电电路的一个分支布置为正交，所述第一馈电电路的另一个分支与所述第二馈电电路的另一个分支在相交的节点处桥接。

6.如权利要求5所述的用于LTE频段的双极化微带缝隙天线，其特征在于，所述桥接结构包括：将所述第一馈电电路一个分支的馈电电路和/或所述第二馈电电路一个分支的馈电电路截断，在截断处设置覆铜的PCB金属化过孔将截断处相连，实现导通。

7.如权利要求5所述的用于LTE频段的双极化微带缝隙天线，其特征在于，所述第一馈电电路的分支与所述第二馈电电路的分支在相交的节点处设有经电磁波波长阻抗变换的微带线，用以连接第一PCB介质基板上的微带线并对所述耦合缝隙进行馈电。

8.如权利要求1所述的用于LTE频段的双极化微带缝隙天线，其特征在于，所述第一PCB介质基板的相对介电常数取值范围在2.2-2.3之间，所述第一PCB介质基板的后度尺寸范围在0.8mm-1.5mm。

9.如权利要求1所述的用于LTE频段的双极化微带缝隙天线，其特征在于，所述第二PCB介质基板的相对介电常数取值范围在3.5-4.4之间，所述第二PCB介质基板的后度尺寸范围在0.5mm-1.5mm。