[发明专利]一种用于LTE频段的双极化微带缝隙天线

说明书

本发明公开了一种用于LTE频段的双极化微带缝隙天线，包括：金属反射板、第一PCB介质基板以及第二PCB介质基板，其中：第一PCB介质基板的顶面、底面以及第二PCB介质基板的顶面上均覆有金属铜层，第一PCB介质基板顶面的金属铜层上至少设有两组相互正交的用以辐射电磁波的耦合缝隙，第一PCB介质基板底面的金属铜上至少设有两组相互正交的馈电电路，用以激励出相互正交的电场；第二PCB介质基板顶面的金属铜层上设有金属辐射贴片，用以对来自耦合缝隙的电磁波进行耦合并产生寄生辐射。实施本发明的用于LTE频段的双极化微带缝隙天线，辐射单元与馈电电路集成为一体，体积小、剖面低、隔离度高、易于集成，能够覆盖整个LTE频段。

技术领域

本发明涉及无线通讯技术领域，尤其涉及一种用于LTE频段的双极化微带缝隙天线。

背景技术

随着现代通信技术的飞速发展以及智能设备的普及，人们对于无线网络资源的依赖越来越强烈，现代人们的生活已经和智能设备以及无线网络紧密联系在一起。因此，运营商之间抢占无线网络资源的态势已经愈演愈烈。

目前，4G时代宏基站已经很难满足用户对于大的数据吞吐量的需求，为此，运营商大多通过加密基站的方式来满足用户的需求，其也使得蜂窝小区变得越来越小，也带来了一些问题：例如：人们的环境意识越来越强，对于电磁辐射的恐惧也是前所未有，使得运营商的建站变得异常艰难；再如：高密度的宏基站必然带来运营商成本的增加。基于上述问题，人们提出了微基站的概念，也就是将天线集成在RRU中的同时将RRU做小。

现有技术中服务于一体化微基站较好的解决方案尚不完善，存在因微带缝隙天线因结构设计不合理导致的体积大、不易集成、工作带宽受限等问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种用于LTE频段的双极化微带缝隙天线，辐射单元与馈电电路集成为一体，体积小、剖面低、隔离度高、易于集成，能够覆盖整个LTE频段。

为了解决上述技术问题，本发明的实施例提供了一种用于LTE频段的双极化微带缝隙天线，包括：用以反射电磁波的金属反射板，金属反射板为一截面呈U形的型腔；固定装设在金属反射板中的第一PCB介质基板，第一PCB介质基板与金属反射板的底板间保持一定的距离；固定装设在金属反射板中的第二PCB介质基板，第二PCB介质基板位于第一PCB介质基板的邻侧且与第一PCB介质基板保持一定的距离；其中：第一PCB介质基板和第二PCB介质基板通过螺钉固定在金属反射板的U形型腔内；第一PCB介质基板的顶面、底面以及第二PCB介质基板的顶面上均覆有金属铜层，第一PCB介质基板顶面的金属铜层上至少设有两组相互正交的用以辐射电磁波的耦合缝隙，第一PCB介质基板底面的金属铜上至少设有两组相互正交的馈电电路，用以激励出相互正交的电场；馈电电路包括第一馈电电路和第二馈电电路，第一馈电电路和/或第二馈电电路的末端设置用以增加耦合缝隙电磁耦合量的折弯，第一馈电电路和第二馈电电路为等幅同相的二功分，折弯呈L形；第二PCB介质基板顶面的金属铜层上设有金属辐射贴片，用以对来自耦合缝隙的电磁波进行耦合并产生寄生辐射，金属辐射贴片包括：金属辐射贴片本体和围挡在金属辐射贴片本体外周的金属围栏，金属围栏与金属辐射贴片本体保持一定的距离，使在金属围栏和金属辐射贴片本体之间留有缝隙，用以产生多个频率的寄生辐射和拓宽天线的带宽。

其中，耦合缝隙包括第一耦合缝隙、第二耦合缝隙，第三耦合缝隙以及第四耦合缝隙，第一耦合缝隙和第二耦合缝隙设置在同一直线上，第三耦合缝隙和第四耦合缝隙设置在同一直线上，第一耦合缝隙和第二耦合缝隙所在的直线垂直于第三耦合缝隙和第四耦合缝隙所在的直线，其中：第一耦合缝隙、第二耦合缝隙、第三耦合缝隙以及第四耦合缝隙彼此之间分别设有一定的距离，用以提高天线的隔离度。

其中，任一第一耦合缝隙、第二耦合缝隙，第三耦合缝隙以及第四耦合缝隙包括：缝隙本体和自缝隙本体的端部延伸设置的头部，头部的延展方向与缝隙本体的延展方向垂直，其中：通过改变头部延展方向的长度以降低缝隙本体延展方向的长度。