[发明专利]三氧化钼微纳阵列材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610002974.2 申请日: 2016-01-04
公开(公告)号: CN105668630A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 陈文;刘曰利;杨爽;金伟;周静;陈韬;佳丽娜·扎哈若娃 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C01G39/02 分类号: C01G39/02;B82Y30/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 唐万荣
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 氧化钼 阵列 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.三氧化钼微纳阵列材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)将四水合钼酸铵[(NH4)6Mo7O24.4H2O]溶解于去离子水中,制得钼酸铵溶液;

2)在不断搅拌的情况下在钼酸铵溶液中滴加浓硝酸,得到含硝酸的混合溶液;

3)取干净玻璃片裁成边长为1.5cm的正方形后清洗干净,将洗净的玻璃片与烧杯内壁 呈45o角浸放于上述含硝酸的混合溶液中;

4)将浸有玻璃片的含硝酸的混合溶液在一定温度下反应一定时间后,自然冷却至室 温;

5)取出玻璃片,表面得到白色附着产物,利用去离子水反复冲洗后烘干,即得到三氧化 钼(MoO3)微纳阵列材料。

2.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳阵列材料的制备方法,其特征在于,步骤1)所述 钼酸铵溶液的浓度为0.01~0.1mol/L。

3.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳阵列材料的制备方法,其特征在于,步骤2)所述 混合液中硝酸浓度为0.1~1mol/L。

4.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳阵列材料的制备方法,其特征在于,步骤4)所述 反应温度为80~140℃,反应时间为2~6h。

5.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳阵列材料的制备方法,其特征在于,步骤5)所述 烘干温度为60℃,烘干时间为24h。

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