[发明专利]三氧化钼微纳阵列材料的制备方法在审
申请号: | 201610002974.2 | 申请日: | 2016-01-04 |
公开(公告)号: | CN105668630A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 陈文;刘曰利;杨爽;金伟;周静;陈韬;佳丽娜·扎哈若娃 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C01G39/02 | 分类号: | C01G39/02;B82Y30/00 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 唐万荣 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化钼 阵列 材料 制备 方法 | ||
1.三氧化钼微纳阵列材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)将四水合钼酸铵[(NH4)6Mo7O24.4H2O]溶解于去离子水中,制得钼酸铵溶液;
2)在不断搅拌的情况下在钼酸铵溶液中滴加浓硝酸,得到含硝酸的混合溶液;
3)取干净玻璃片裁成边长为1.5cm的正方形后清洗干净,将洗净的玻璃片与烧杯内壁 呈45o角浸放于上述含硝酸的混合溶液中;
4)将浸有玻璃片的含硝酸的混合溶液在一定温度下反应一定时间后,自然冷却至室 温;
5)取出玻璃片,表面得到白色附着产物,利用去离子水反复冲洗后烘干,即得到三氧化 钼(MoO3)微纳阵列材料。
2.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳阵列材料的制备方法,其特征在于,步骤1)所述 钼酸铵溶液的浓度为0.01~0.1mol/L。
3.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳阵列材料的制备方法,其特征在于,步骤2)所述 混合液中硝酸浓度为0.1~1mol/L。
4.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳阵列材料的制备方法,其特征在于,步骤4)所述 反应温度为80~140℃,反应时间为2~6h。
5.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳阵列材料的制备方法,其特征在于,步骤5)所述 烘干温度为60℃,烘干时间为24h。
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