[发明专利]一种氮化镓基LED外延结构

权利要求书

1.一种氮化镓基LED外延结构，包括在衬底层上依次生长的GaN缓冲层、 uGaN层、n型GaN：Si层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻 挡层和p型GaN：Mg层，其特征在于，在InGaN/GaN多量子阱层和p型 AlGaN电子阻挡层之间插入一层厚度为5-100nm的低温p型InAlGaN层。

2.根据权利要求1所述的一种氮化镓基LED外延结构，其特征在于，所 述低温p型InAlGaN层中铟铝合计组份含量不超过50％。

3.根据权利要求1所述的一种氮化镓基LED外延结构，其特征在于，所 述低温p型InAlGaN层在氮化镓基LED外延结构中的掺杂浓度为 10¹⁹-10²¹cm^-3。

4.根据权利要求1所述的一种氮化镓基LED外延结构，其特征在于，所 述低温p型InAlGaN层的生长方法为：

在InGaN/GaN多量子阱层生长结束后，生长一层厚度为5-100nm的低 温p型InAlGaN层，生长温度在600-900℃之间，反应腔压力在10- 200Torr之间，载气流量为5-40升/分钟，氨气流量为100-600摩尔/分 钟，三甲基镓流量为80-400微摩尔/分钟，三甲基铟流量为400-600微摩尔 /分钟，三甲基铝流量为20-100微摩尔/分钟，二茂镁流量为为0.5-5微摩 尔/分钟，生长时间为1-10分钟。