[发明专利]半导体熔丝及其制法

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，包括：

制造半导体熔丝，该半导体熔丝包括以熔丝连接区电性连接的阳极区和阴极区，且该制造包括：

以外延方式在该半导体熔丝的该阳极区和该阴极区之间形成该熔丝连接区，其中，该熔丝连接区有助于在该阳极区和该阴极区之间施加编程电流时令该半导体熔丝形成断路，其中，以外延方式形成该熔丝连接区包括形成多个熔丝链，其中，该多个熔丝链的其中一个熔丝链有助于在施加该编程电流时令该半导体熔丝形成断路，而该多个熔丝链的另一熔丝链有助于在该半导体熔丝的该阳极区和该阴极区之间施加另一个编程电流时令该半导体熔丝形成断路。

2.根据权利要求1所述的制造半导体结构的方法，其中，该形成包括：

从该阳极区和该阴极区的暴露表面以外延方式形成半导体材料，其中，该半导体材料在该形成期间至少部分地融合，以形成该半导体熔丝的该熔丝连接区。

3.根据权利要求1所述的制造半导体结构的方法，其中，该形成包括：

将该熔丝连接区形成为具有比该半导体熔丝的该阳极区的最小尺寸或该半导体熔丝的该阴极区的另一最小尺寸还要小的较小最小尺寸，该熔丝连接区的较小最小尺寸有助于在施加该编程电流时令该半导体熔丝形成断路。

4.根据权利要求1所述的制造半导体结构的方法，其中，该半导体熔丝的该阳极区有助于将施加该编程电流以令该半导体熔丝形成断路时所产生的热散去。

5.根据权利要求1所述的制造半导体结构的方法，其中，该制造包括制造该阴极区为具有第一表面区域且制造该阳极区为具有第二表面区域，其中，该第二表面区域大于该第一表面区域。

6.根据权利要求1所述的制造半导体结构的方法，还包括：

将该半导体熔丝的该熔丝连接区与至少一种金属反应以形成在其内的半导体–金属合金，其中，该半导体–金属合金有助于在施加该编程电流时使该熔丝连接区产生电迁移，从而令该半导体熔丝形成断路。

7.根据权利要求1所述的制造半导体结构的方法，其中，该制造包括形成该熔丝连接区以包含至少一个锥形区，该熔丝连接区的该至少一个锥形区有助于在施加该编程电流时令该半导体熔丝形成断路。

8.根据权利要求1所述的制造半导体结构的方法，其中，该制造还包括提供至少一个第一鳍状结构和至少一个第二鳍状结构，该至少一个第一鳍状结构包括该阳极区以及该至少一个第二鳍状结构包括该阴极区，其中，该形成包括：

从该至少一个第一鳍状结构和该至少一个第二鳍状结构的暴露表面以外延方式形成半导体材料，其中，该至少一个第一鳍状结构包括该阳极区以及该至少一个第二鳍状结构包括该阴极区，其中，该半导体材料在该形成期间至少部分地融合，以形成该半导体熔丝的该熔丝连接区。

9.根据权利要求8所述的制造半导体结构的方法，其中，该提供包括在该至少一个第一鳍状结构与该至少一个第二鳍状结构之间提供隔离材料，以及该形成包括：

从该至少一个第一鳍状结构和该至少一个第二鳍状结构的暴露表面形成该半导体材料，其中，该熔丝连接区至少部分地在该隔离材料上方形成。

10.根据权利要求8所述的制造半导体结构的方法，其中，该提供包括：

提供实质平行于该至少一个第二鳍状结构的该至少一个第一鳍状结构，其中，该至少一个第一鳍状结构的顶端与该至少一个第二鳍状结构的另一顶端实质对齐。

11.根据权利要求8所述的制造半导体结构的方法，其中，提供该至少一个第一鳍状结构还包括两个鳍状结构，而该熔丝连接区包括多个熔丝连接链，其中，该多个熔丝连接链中的其中一个是位于该两个鳍状结构的其中一者与该至少一个第二鳍状结构之间，而该多个熔丝连接链的另一者是位于该两个鳍状结构的另一者与该至少一个第二鳍状结构之间。