[发明专利]基板结构及其柔性基板的贴附方法、剥离方法在审
申请号: | 201610005547.X | 申请日: | 2016-01-04 |
公开(公告)号: | CN105552088A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 邢建国;王贺陶;晏斌 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/762;H01L21/78 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 板结 及其 柔性 方法 剥离 | ||
技术领域
本发明涉及基板制造技术领域,尤其涉及基板结构及其柔性基板的贴附方 法、剥离方法。
背景技术
近年来,柔性显示作为下一代显示重点技术得到飞快的发展,柔性显示器 件使用一种可卷曲的柔性基板,该柔性基板是由柔软的材料制成,其特点为可 变型可弯曲,且具有轻薄,携带方便等优点。
目前,柔性基板加工困难,严重限制了其应用发展,一般将柔性基板固定 到刚性的载体基板上制作,但柔性基板的贴附工艺较为复杂,且不易将制作完 成的柔性基板剥离。目前把柔性基板固定到载体基板的方法很多,大致可以分 成两类:其一,用粘合剂,如双面胶,将柔性基板贴附到载体基板上,器件制 作完成后剥离;其二,直接将柔性基板的原材料涂覆在载体基板上,经过定型 后形成柔性基板,待器件制作完成后再剥离。但是,上述方法存在如下缺陷: 一、用粘合剂将柔性基板贴附到载体基板上,器件完成后剥离,不易将制备完 成的柔性基板从载体基板取下或者有胶残留;二、直接将柔性基板的原材料涂 覆在载体基板上,器件制作完成后剥离,该方法使柔性基板固定在载体基板上 较为困难,且所用的涂覆原材料的方法和剥离方法成本较高。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供基板结构及其柔性基板的贴附方法、剥离方 法,只需在电场的作用下,通过电粘性层即可实现柔性基板在制作过程中的贴 附及剥离,且载体基板和粘结层可以回收利用。
因此,本发明实施例提供了一种基板结构,包括:载体基板,设置在所述 载体基板上的柔性基板,还包括:
夹在所述载体基板和柔性基板之间的一个或多个并排设置的粘结层;
所述粘结层包括在电场的作用下粘性强度进行转变的电粘性层;
所述粘结层与所述柔性基板接触的一侧具有所述电粘性层。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述基板结构中,所述 粘结层还包括基材和粘结剂;
所述粘结层与所述载体基板接触的一侧具有所述粘结剂;
所述基材夹在所述电粘性层和所述粘结剂之间。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述基板结构中,所述 粘结剂为所述电粘性层。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述基板结构中,所述 电粘性层在电场的作用下在液体状态和固体状态之间转换;
所述固体状态的电粘性层的粘性强度大于所述液体状态的电粘性层的粘 性强度。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述基板结构中,电场 强度越大,所述电粘性层的粘性强度越大。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述基板结构中,所述 电粘性层包括固体微粒和绝缘液体;其中,
所述固体微粒的介电常数大于所述绝缘液体的介电常数。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述基板结构中,所述 固体微粒的材料为硅胶、硅铝酸盐、复合金属氧化物、复合金属氢氧化物、高 分子半导体材料其中之一或组合。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述基板结构中,所述 绝缘液体为硅油、食油或矿物油。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述基板结构中,所述 基材的材料为聚氯乙烯、亚克力、玻璃或聚酯类材料。
本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述基板结构的柔性基 板的贴附方法,包括:
将粘结层贴附在载体基板上;所述粘结层包括在电场的作用下粘性强度进 行转变的电粘性层;
将柔性基板贴附在所述电粘性层上;
在所述粘结层周围施加电场,以使所述柔性基板通过所述粘结层固定在所 述载体基板上。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述贴附方法中,将粘 结层贴附在载体基板上,具体包括:
将粘结层通过所述粘结层中的粘结剂贴附在载体基板上。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述贴附方法中,所述 粘结剂为所述电粘性层。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述贴附方法中,在所 述电粘性层周围施加电场,所述电粘性层由液体状态向固体状态转换;其中, 所述固体状态的电粘性层的粘性强度大于液体状态的电粘性层的粘性强度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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