[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基板；

形成多个位线结构于该半导体基板上方，其中该些位线结构之间包括多个沟槽；

形成一第一绝缘层顺应性覆盖该些沟槽；

沉积一第二绝缘层于该些沟槽中和该第一绝缘层上；

通过一自对准接触刻蚀工艺在该些位线结构之间形成多个电容接触孔；

形成一第一接触件于该些电容接触孔中；

形成一气隙于该第一接触件周围；以及

形成一第二接触件于该第一接触件上，其中该第二接触件与该第一接触件构成一电容接触件。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体基板包括：

多个主动区，位于该半导体基板中；以及

多个隔离结构，位于该半导体基板中的该些主动区之间。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该通过一自对准接触刻蚀工艺在该些位线结构之间形成多个电容接触孔的步骤包括：

形成一图案化的掩膜于该第二绝缘层上；

刻蚀未被该图案化的掩膜覆盖的部分，直到暴露出该半导体基板的一部分表面；以及

移除该图案化的掩膜。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在形成一第一接触件于该些电容接触孔中之前更包括：形成一第三绝缘层内衬于该些电容接触孔的侧壁上和一牺牲间隔层于该些电容接触孔的侧壁上的该第三绝缘层上，以界定一第一开口。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该形成一气隙于该第一接触件周围的步骤包括：通过一湿法刻蚀移除剩余的该牺牲间隔层，以于该第一接触件周围形成该气隙。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在形成一第二接触 件于该第一接触件上之前，更包括：

形成一间隔层于该气隙上，其中该间隔层经回刻蚀后，剩余的该间隔层在该第一接触件上形成一上表面开口。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该形成一第二接触件于该第一接触件上的步骤包括：

形成一金属衬层顺应性覆盖于该第一接触件的该上表面开口中，以形成一第二开口；以及

形成一金属插塞于该第二开口中。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该一第一接触件与该第二接触件直接接触。

9.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该一第一接触件通过一硅化物与该第二接触件接触。

10.一种半导体装置，其特征在于，包括：

多个位线结构，位于一半导体基板上方；

多个电容接触件，位于该些位线结构之间，其中该些电容接触件包括一第一接触件和一第二接触件，且该第二接触件位于该第一接触件上；

多个绝缘物，位于该些气隙和该些位线结构之间；多个气隙，位于该些位线结构和该些电容接触件之间并围绕该第一接触件；以及

多个间隔物，位于该些气隙上并围绕该第二接触件。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，该一第一接触件包括：多晶、单晶或无晶相的掺杂或未掺杂的硅。

12.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，该一第一接触件包括一金属衬层和一金属插塞。