[发明专利]发光器件和发光器件封装有效
申请号: | 201610006429.0 | 申请日: | 2011-02-16 |
公开(公告)号: | CN105470363B | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 丁焕熙;李尚烈;文智炯;宋俊午;崔光基 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/52;H01L33/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 周燕;夏凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 | ||
1.一种发光器件包括:
发光结构,所述发光结构包括:第一导电半导体层、所述第一导电半导体层之上的有源层以及所述有源层之上的第二导电半导体层;
透射电极层,所述透射电极层位于所述第二导电半导体层之上;
粘附层,所述粘附层位于所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之上;
第一电极,所述第一电极位于所述第一导电半导体层之上;和
第二电极,所述第二电极位于所述第二导电半导体层之上,
其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层上的所述粘附层的一端隔开,以及
其中,接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10%至95%的面积。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第二导电半导体层的至少一部分被暴露于所述透射电极层和所述第二导电半导体层上的所述粘附层的一端之间。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx以及RuOx组成的组中选择的至少一种。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述粘附层沿所述发光结构的侧表面,从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第二电极布置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层的两者之上。
7.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述透射电极层具有单层结构或多层结构。
8.根据权利要求7所述的发光器件,其中所述透射电极层包括从由铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、RuOx、Ni、Ag和Au组成的组中选择的至少一种。
9.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一电极具有包括Al、Cr、Ni、Au的多层结构和具有Au的所述第一电极的最上层。
10.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一电极穿过所述粘附层的同时在垂直方向上与所述粘附层重叠。
11.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第二电极在垂直方向上与所述透射电极层重叠。
12.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述透射电极层暴露所述第二导电半导体层的至少一部分。
13.根据权利要求12所述的发光器件,其中所述第二电极具有包括Au、Al、Ag、Ti、Cu、Ni和Cr中的至少一种的多层结构或单层结构。
14.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一电极布置在所述粘附层上。
15.根据权利要求14所述的发光器件,其中所述第一电极的底表面的一部分接触所述第一导电半导体层的顶表面。
16.根据权利要求12所述的发光器件,其中透射电极层的一部分布置在所述第二电极之下。
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