[发明专利]双极型晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种双极型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部；

在所述半导体衬底表面形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部顶部表面，且覆盖鳍部的部分侧壁；

在所述半导体衬底和鳍部内形成第二类型掺杂阱；

在所述鳍部内形成第一类型掺杂区；

在所述鳍部内形成第二类型掺杂区，所述第一类型掺杂区和第二类型掺杂区沿鳍部长度方向分布；

在所述第一类型掺杂区的部分表面以及第二类型掺杂区表面形成第二类型重掺杂层；

在所述第一类型掺杂区剩余部分表面形成第一类型重掺杂层。

2.根据权利要求1所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一类型掺杂区的形成方法包括：刻蚀所述鳍部，在所述鳍部内形成第一凹槽；在所述第一凹槽内外延形成第一半导体层，并对所述第一半导体层进行第一类型离子掺杂，形成第一类型掺杂区。

3.根据权利要求2所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，采用原位掺杂工艺对所述第一半导体层进行第一类型离子掺杂。

4.根据权利要求1或2所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一类型掺杂区的掺杂剂量为1E13atom/cm²～5E13atom/cm²。

5.根据权利要求2所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二类型掺杂区的形成方法包括：刻蚀所述鳍部，在所述鳍部内形成第二凹槽；在所述第二凹槽内外延形成第二半导体层，并对所述第二半导体层进行第二类型离子掺杂，形成第二类型掺杂区。

6.根据权利要求5所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，采用原位掺杂工艺对所述第二半导体层进行第二类型离子掺杂。

7.根据权利要求5所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二类型掺杂区的掺杂剂量为1E13atom/cm²～5E13atom/cm²。

8.根据权利要求1所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一类型掺杂区和第二类型掺杂区之间间隔2nm～20nm。

9.根据权利要求1所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二类型重掺杂层的形成方法包括：在所述隔离层和鳍部表面形成第一图形化掩膜层，所述第一图形化掩膜层暴露出第一类型掺杂区的部分表面和第二类型掺杂区的表面；以所述第一图形化掩膜层为掩膜，进行第二类型离子注入，在所述第一类型掺杂区的部分表面、第二类型掺杂区表面形成第二类型重掺杂层；然后去除所述第一图形化掩膜层。

10.根据权利要求9所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二类型离子注入的注入剂量为1E15 atom/cm²～5E15 atom/cm²。

11.根据权利要求1所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一类型重掺杂层的形成方法包括：在所述隔离层和鳍部表面形成第二图形化掩膜层，所述第二图形化掩膜层暴露出第一类型掺杂区未被第二类型离子注入的表面；以所述第二图形化掩膜层为掩膜，对所述第一类型掺杂区进行第一类型离子注入，在所述第一类型掺杂区的部分表面形成第一类型重掺杂层；然后去除所述第二图形化掩膜层。

12.根据权利要求11所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一类型离子注入的注入剂量为1E15 atom/cm²～5E15 atom/cm²。

13.根据权利要求5所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一类型掺杂为P型掺杂，第二类型为N型掺杂。