[发明专利]双极型晶体管及其形成方法

说明书

一种双极型晶体管及其形成方法，所述双极型晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部；在所述半导体衬底表面形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部顶部表面，且覆盖鳍部的部分侧壁；在所述半导体衬底和鳍部内形成第二类型掺杂阱；在所述鳍部内形成第一类型掺杂区；在所述鳍部内形成第二类型掺杂区，所述第一类型掺杂区和第二类型掺杂区沿鳍部长度方向分布；在所述第一类型掺杂区的部分表面以及第二类型掺杂区表面形成第二类型重掺杂层；在所述第一类型掺杂区部分表面形成第一类型重掺杂层。所述方法可以提高形成的双极型晶体管的集成度，且制作工艺与CMOS制作工艺兼容。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种双极型晶体管及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，随着半导体工艺技术的不断发展，工艺节点逐渐减小，鳍式场效应晶体管(Fin FET)作为一种多栅器件得到了广泛的关注。鳍式场效应晶体管的工艺流程与平面晶体管的工艺流程有了很大的改变。

双极型晶体管是构成现代大规模集成电路的常用器件结构之一，其操作速度快、饱和压降下、电流密度大且生产成本低。

目前集成电路中的双极型晶体管的制作方法，还是按照传统的平面晶体管的工艺流程制作，集成度有待进一步的提高。

所以现有双极型晶体管的集成度有待进一步的提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种双极型晶体管及其形成方法，提高现有双极型晶体管的集成度。

为解决上述问题，本发明提供一种双极型晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部；在所述半导体衬底表面形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部顶部表面，且覆盖鳍部的部分侧壁；在所述半导体衬底和鳍部内形成第二类型掺杂阱；在所述鳍部内形成第一类型掺杂区；在所述鳍部内形成第二类型掺杂区，所述第一类型掺杂区和第二类型掺杂区沿鳍部长度方向分布；在所述第一类型掺杂区的部分表面以及第二类型掺杂区表面形成第二类型重掺杂层；在所述第一类型掺杂区部分表面形成第一类型重掺杂层。

可选的，所述第一类型掺杂区的形成方法包括：刻蚀所述鳍部，在所述鳍部内形成第一凹槽；在所述第一凹槽内外延形成第一半导体层，并对所述第一半导体层进行第一类型离子掺杂，形成第一类型掺杂区。

可选的，采用原位掺杂工艺对所述第一半导体层进行第一类型离子掺杂。

可选的，所述第一类型掺杂区的掺杂剂量为1E13atom/cm²～5E13atom/cm²。

可选的，所述第二类型掺杂区的形成方法包括：刻蚀所述鳍部，在所述鳍部内形成第二凹槽；在所述第二凹槽内外延形成第二半导体层，并对所述第二半导体层进行第二类型离子掺杂，形成第二类型掺杂区。

可选的，采用原位掺杂工艺对所述第二半导体层进行第二类型离子掺杂。

可选的，所述第二类型掺杂区的掺杂剂量为1E13atom/cm²～5E13atom/cm²

可选的，所述第一类型掺杂区和第二类型掺杂区之间间隔2nm～20nm。

可选的，所述第二类型重掺杂层的形成方法包括：在所述隔离层和鳍部表面形成第一图形化掩膜层，所述第一图形化掩膜层暴露出第一类型掺杂区的部分表面和第二类型掺杂区的表面；以所述第一图形化掩膜层为掩膜，进行第二类型离子注入，在所述第一类型掺杂区的部分表面、第二类型掺杂区表面形成第二类型重掺杂层；然后去除所述第一图形化掩膜层。

可选的，所述第二类型离子注入的注入剂量为1E15atom/cm²～5E15atom/cm²。