[发明专利]提高多晶硅平坦化均匀性的方法

权利要求书

1.一种提高多晶硅平坦化均匀性的方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有隔离区域；

在所述半导体衬底上形成栅极结构，并在所述隔离区域的上方形成虚拟栅极结构；

形成覆盖多晶硅层，所述覆盖多晶硅层覆盖所述栅极结构及所述虚拟栅极结构，并填满所述栅极结构之间、所述虚拟栅极结构之间及所述栅极结构与所述虚拟栅极结构之间的间隙；

对所述覆盖多晶硅层进行平坦化处理。

2.根据权利要求1所述的提高多晶硅平坦化均匀性的方法，其特征在于：在所述半导体衬底上形成所述栅极结构的同时，在所述隔离区域的上方形成所述虚拟栅极结构。

3.根据权利要求2所述的提高多晶硅平坦化均匀性的方法，其特征在于：在形成所述栅极结构的同时，形成所述虚拟栅极结构包括：

在所述半导体衬底上形成隧穿氧化层；

在所述隧穿氧化层上形成栅极多晶硅层的同时，在所述隔离区域的上方形成所述虚拟栅极结构；

在所述栅极多晶硅层及所述虚拟栅极结构上依次形成栅间介电层及硬掩膜层；

在所述隧穿氧化层、所述栅极多晶硅层、所述栅间介电层及所述硬掩膜层形成的堆栈结构两侧及所述虚拟栅极结构、所述栅间介电层及所述硬掩膜层形成的堆栈结构两侧同时形成侧墙；

去除位于所述虚拟栅极结构上方的所述栅间介电层、所述硬掩膜层及位于所述虚拟栅极结构两侧的所述侧墙。

4.根据权利要求2所述的提高多晶硅平坦化均匀性的方法，其特征在于：在形成所述栅极结构的同时，形成所述虚拟栅极结构包括：

在所述半导体衬底上形成隧穿氧化层；

在所述隧穿氧化层上形成栅极多晶硅层的同时，在所述隔离区域的上方形成所述虚拟栅极结构；

在所述栅极多晶硅层上依次形成栅间介电层及硬掩膜层；

在所述隧穿氧化层、所述栅极多晶硅层、所述栅间介电层及所述硬掩膜层形成的堆栈结构两侧形成侧墙。

5.根据权利要求1所述的提高多晶硅平坦化均匀性的方法，其特征在于：先在所述半导体衬底上形成栅极结构，而后在所述隔离区域的上方形成虚拟栅极结构。

6.根据权利要求1所述的提高多晶硅平坦化均匀性的方法，其特征在于：采用化学机械抛光工艺对所述覆盖多晶硅层进行平坦化处理。

7.根据权利要求1所述的提高多晶硅平坦化均匀性的方法，其特征在于：对所述覆盖多晶硅层进行平坦化处理后，所述覆盖多晶硅层的上表面高于所述硬掩膜层的上表面。

8.根据权利要求7所述的提高多晶硅平坦化均匀性的方法，其特征在于：对所述覆盖多晶硅层进行平坦化处理后，所述覆盖多晶硅层的上表面高出所述硬掩膜层的上表面150埃～250埃。

9.根据权利要求8所述的提高多晶硅平坦化均匀性的方法，其特征在于：对所述覆盖多晶硅层进行平坦化处理后，所述覆盖多晶硅层的上表面高出所述硬掩膜层的上表面200埃。