[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基底上方，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管源极和漏极的图形；

形成第一绝缘层；

通过构图工艺形成包括薄膜晶体管有源层的图形；

形成第二绝缘层，并在位于所述源极和所述漏极上方的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中层刻蚀形成第一过孔和第二过孔；在位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上方的所述第二绝缘层中刻蚀形成第三过孔和第四过孔；

通过构图工艺形成包括第一连接线、第二连接线、像素电极的图形；其中，所述第一连接线通过所述第一过孔和所述第三过孔将所述源极与所述有源层的源极接触区连接；所述第二连接线通过所述第二过孔和所述第四过孔将所述漏极与所述有源层的漏极接触区，以及所述像素电极连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成第二绝缘层包括：

形成栅极绝缘层和形成平坦化层的步骤；所述制备方法还包括：

在形成所述栅极绝缘层和所述平坦化层之间，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管的栅极的图形。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述栅极与所述有源层的导电沟道区在所述基底上的正投影完全重合；所述通过构图工艺形成包括栅极的图形之后，还包括：

对所述有源层的源极接触区和漏极接触区进行离子注入。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺形成包括薄膜晶体管有源层的图形的同时，还包括：

形成包括存储电容的第一极板的图形；

所述对所述有源层的源极接触区和漏极接触区进行离子注入的同时，还包括：

对所述存储电容的第一极板进行离子注入。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺形成包括薄膜晶体管源极和漏极的图形的同时，还包括：

形成包括薄膜晶体管的栅极的图形。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺形成包括薄膜晶体管源极和漏极的图形的同时，还包括：

形成包括存储电容的第二极板的图形。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在位于所述源极和所述漏极上方的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中层刻蚀形成第一过孔和第二过孔；在位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上方的所述第二绝缘层中刻蚀形成第三过孔和第四过孔，具体包括：

首先，在位于所述源极和所述漏极上方的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中刻蚀第一过孔和第二过孔对应的区域；

之后，在位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上方的所述第二绝缘层中刻蚀第三过孔和第四过孔对应的区域。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，刻蚀所述第二绝缘层，形成所述第三过孔和第四过孔所采用的刻蚀气体为CxFy。

9.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成包括像素电极的图形之后，还包括：

通过一次构图工艺形成包括像素限定层和隔垫物的图形。

10.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基底；

位于基底上方的薄膜晶体管的源极和漏极；

位于所述源极和漏极所在层上方第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上方的薄膜晶体管的有源层；

位于所述有源层所在层上方的第二绝缘层；

位于所述第二绝缘层所在层上方的第一连接线、第二连接线、像素电极；其中，

所述第一连接线通过贯穿位于所述源极上方的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一过孔，以及贯穿位于所述有源层的源极接触区上方的所述第二绝缘层的第三过孔，将所述源极与所述有源层的源极接触区连接；所述第二连接线通过贯穿位于所述漏极上方的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第二过孔，以及贯穿位于所述有源层的漏极接触区上方的所述第二绝缘层的第四过孔，将所述漏极与所述有源层的漏极接触区和所述像素电极连接。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层包括栅极绝缘层和形成平坦化层；所述阵列基板还包括位于所述栅极绝缘层和所述平坦化层之间的薄膜晶体管的栅极。