[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，人们对显示画质的需求日益增长，高画质、高分辨率的平板显示装置的需求越来越普遍，也越来越得到显示面板厂家的重视。

薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)是平板显示面板的主要驱动器件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，例如：非晶硅和多晶硅都是目前常用的薄膜晶体管制备材料。然而，非晶硅本身存在很多无法避免的缺点，比如：低迁移率、低稳定性等；与此相比，低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，简称LTPS)具有较高的迁移率及稳定性，其迁移率可达非晶硅的几十甚至几百倍。因此，采用低温多晶硅材料形成薄膜晶体管的技术得到了迅速发展，由LTPS衍生的新一代液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay：简称LCD)或有机电致发光显示装置(OrganicLight-EmittingDiode:简称OLED)成为重要的显示技术，尤其是OLED显示装置，由于OLED具有超薄、低功耗、同时自身发光等特点，备受用户的青睐。

图1为现有技术中LTPSTFT阵列基板的一种结构剖视图。其中，该阵列基板包括依次设置于基板1上方的缓冲层2、有源层3、第一绝缘层4′、栅极5、第二绝缘层6′、源极71、漏极72、第三绝缘层8′、平坦化层9和像素电极10。目前，该结构的阵列基板需要采用八张掩模板进行八次构图工艺才能制备完成，这八次构图工艺分别是：

利用有源层掩模板(a-SiMask)，通过第一次构图工艺形成包括有源层3的图形；

利用存储电容掩模板(C_SMask)，将第一绝缘层4′通过第二次构图工艺进行部分p-Si掺杂以形成包括存储电容C_S的第一极板11的图形。在该步骤中，即通过第一次离子注入掺杂形成存储电容C_S的第一极板11，采用离子注入方法形成了第一极板11的存储电容，存在充放电速度较慢的缺点；

利用栅极掩模板(GateMask)，通过第三次构图工艺形成包括栅极5及存储电容C_S的第二极板12的图形。在该步骤中，即采用栅金属作为存储电容C_S的第二极板；

利用接触孔掩模板(ContactMask)，在第二绝缘层6′中，通过第四次构图工艺形成包括用于连接源极71、漏极72与有源层3的接触孔的图形；

利用源漏极掩模板(S/DMask)，通过第五次构图工艺形成包括源极71、漏极72的图形；

利用过孔掩模板(VIAHoleMask)，在第三绝缘层8′中，通过第六次构图工艺形成包括像素电极10与漏极72之间的桥接过孔的图形；

利用平坦层掩模板(PLNMask)，在平坦层9中，通过第七次构图工艺形成包括像素电极10与漏极72之间的桥接过孔的图形，并使阵列基板平坦化，以便在平坦的基板上沉积电极层；

利用像素电极掩模板(ITOMask)，通过第八次构图工艺形成像素电极10的图形。

可见，现有技术制作LTPSTFT和C_S的阵列基板工艺复杂、流程较多，造成了较高的生产成本。

发明内容

本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的阵列基板的制备方法存在的上述问题，提供一种工艺简单、成本较低的阵列基板及其制备方法、显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：

在基底上方，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管源极和漏极的图形；

形成第一绝缘层；

通过构图工艺形成包括薄膜晶体管有源层的图形；

形成第二绝缘层，并在位于所述源极和所述漏极上方的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中层刻蚀形成第一过孔和第二过孔；在位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上方的所述第二绝缘层中刻蚀形成第三过孔和第四过孔；

通过构图工艺形成包括第一连接线、第二连接线、像素电极的图形；其中，所述第一连接线通过所述第一过孔和所述第三过孔将所述源极与所述有源层的源极接触区连接；所述第二连接线通过所述第二过孔和所述第四过孔将所述漏极与所述有源层的漏极接触区，以及所述像素电极连接。

优选的是，所述形成第二绝缘层包括：

形成栅极绝缘层和形成平坦化层的步骤；所述制备方法还包括：