[发明专利]一种周转设备、周转方法以及太阳能电池生产线有效
申请号: | 201610008222.7 | 申请日: | 2016-01-05 |
公开(公告)号: | CN105632987B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 于岩;陈松宝;刘慧鹏;巩利民;田建;王维;孟原;郭铁 | 申请(专利权)人: | 新奥光伏能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 065001 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 周转 设备 方法 以及 太阳能电池 生产线 | ||
本发明公开了一种周转设备、周转方法以及太阳能电池生产线,用以将传送装置与布片装置有效集成起来,提高太阳能电池生产线的生产效率。所述周转设备,包括:信号采集装置、周转装置以及控制装置;所述信号采集装置,用于获取传送装置上待周转物的运行位置,并将所述待周转物的运行位置发送至所述控制装置;所述控制装置,用于在确定所述待周转物的运行位置与所述传送装置上的指定位置重合时,停止所述传送装置的运行,并启动所述周转装置,将所述待周转物在所述传送装置与布片装置之间进行周转;其中,所述指定位置为所述周转装置在所述传送装置上垂直投影所在的位置。
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种周转设备、周转方法以及太阳能电池生产线。
背景技术
硅基薄膜太阳能电池生产线包括:磨边设备、清洗设备、激光划线设备、等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)镀膜设备、物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)镀膜设备、物料传输系统(MaterialHandling System,MHS)等,其生产的硅基薄膜太阳能电池尺寸可为5.7m2(长2.6m*宽2.2m)。其中,清洗设备是以透明导电氧化物镀膜(Transparent Conductive Oxide,TCO)玻璃为主体衬底进行清洗的设备,TCO玻璃的尺寸为5.7m2,清洗之后将整块5.7m2的TCO玻璃直接传送到PECVD设备进行镀膜,物料传输系统仅用于传输物料。
异质结太阳能电池的制备工艺包括:清洗制绒、PECVD镀膜、PVD镀膜、丝网印刷、退火等,硅片的尺寸为156mm*156mm或125mm*125mm。其中,清洗制绒工艺中硅片是间隔式的叠放于清洗花篮中,而PECVD镀膜工艺中需要对阵列式的排布在玻璃托盘上的硅片进行镀膜。因此,在清洗制绒工艺与PECVD镀膜工艺之间需要通过布片装置将清洗后的硅片阵列式排布于玻璃托盘上,之后将完成布片的玻璃托盘送入PECVD设备对硅片进行镀膜。
对硅基薄膜太阳能电池生产线进行升级改造后,改造以后的太阳能电池生产线不仅包括硅基薄膜太阳能电池生产线的部分设备,例如:PECVD镀膜设备、PVD镀膜设备、物料传输系统MHS等,还包括:布片装置、硅片清洗制绒设备等,可用于生产异质结太阳能电池,其中,异质结太阳能电池的尺寸可以为156mm*156mm或125mm*125mm。
但是,改造以后的太阳能电池生产线需要人工手动方式来实现玻璃托盘在物料传输系统中的传送装置与布片装置之间的周转,无法使二者有效集成起来,从而无法实现改造升级后太阳能电池生产线的高效运行,降低了生产效率。具体的人工手动周转过程是:完成硅片的清洗制绒工艺之后,在传送装置上运行的玻璃托盘运行到指定位置,即与布片装置相对应的位置后,由操作人员手动操作控制系统,暂停传送装置,然后将提升平台升起并同时带动位于该位置的玻璃托盘升起,操作人员手动将升起的玻璃托盘沿着传送设备移动到布片装置上;完成硅片布片之后,再由传送设备送回提升平台,提升平台下降并将玻璃托盘放置于传送装置上,操作人员再手动操作控制系统,使得传送装置继续运行,并将已经完成布片的玻璃托盘送入PECVD设备中进行镀膜。
从上述周转过程可以看出,改造升级后太阳能电池生产线的传送装置与布片装置之间的硅片周转方式存在以下不足:
(1)现有太阳能电池生产线的传送装置无法有效感应提升平台升降的位置,当传送装置继续运行且提升平台同时提升时,位于传送装置上的玻璃托盘会撞到提升平台,导致玻璃托盘报废,甚至导致传送装置发生故障;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造