[发明专利]分离栅快闪存储单元互连的制作方法

权利要求书

1.一种分离栅快闪存储单元互连的制作方法，包括：

在包括源极线的存储单元堆栈结构表面上形成牺牲氧化层；源极线包括源带区和擦除栅区域；

以覆盖存储单元区域中字线区域、源带区的第一图案化光刻胶为掩模，对擦除栅区域透过牺牲氧化层进行离子注入形成源极后，去除第一图案化光刻胶；

刻蚀去除源极线上的牺牲氧化层；

在源极线上形成源极氧化层；

沉积多晶硅，并去除源带区处的多晶硅，以在擦除栅区域形成擦除栅，在字线区域形成字线，进而形成包括字线、擦除栅、存储单元堆栈结构的存储单元结构；

在存储单元结构上依次沉积氧化物及氮化物，并进行干法刻蚀，以在存储单元结构两侧形成由所述氧化物和氮化物构成的存储单元结构侧壁；

刻蚀去除源带区表面的源极氧化层，以暴露源带区基底，同时保留擦除栅区域的源极氧化层；

在源带区基底表面生成金属硅化物，并在所述源带区填充绝缘材料形成层间介质层，干法刻蚀所述层间介质层形成底部暴露所述金属硅化物的通孔，并以导电材料填充通孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成包括字线、擦除栅、存储单元堆栈结构的存储单元结构之后，形成存储单元结构侧壁之前，还包括对源带区进行离子注入的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对源带区进行离子注入的步骤包括：形成覆盖存储单元结构，并暴露所述源带区的第二图案化光刻胶；以所述第二图案化光刻胶作为掩膜对所述源带区进行离子注入。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成存储单元结构侧壁之后，刻蚀去除源带区表面的源极氧化层，以暴露源带区基底之前，还包括对源带区进行离子注入的步骤。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，对源带区进行离子注入的步骤包括：形成覆盖存储单元结构及存储单元结构侧壁，并暴露所述源带区的第三图案化光刻胶；以所述第三图案化光刻胶作为掩膜对所述源带区进行离子注入。

6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，沉积多晶硅，并去除源带区处的多晶硅，以在擦除栅区域形成擦除栅，在字线区域形成字线，进而形成包括字线、擦除栅、存储单元堆栈结构的存储单元结构包括：

沉积多晶硅，并形成覆盖存储单元堆栈结构、字线区域、擦除栅区域的第四图案化光刻胶，所述第四图案化光刻胶暴露所述源带区；

利用干法刻蚀去除源带区处的多晶硅。