[发明专利]光电设备通过光学涂层局部剥离而实现的精细线金属敷镀有效
申请号: | 201610015069.0 | 申请日: | 2011-02-15 |
公开(公告)号: | CN105609587B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | O·舒尔茨-韦特曼;D·克拉夫茨;D·德赛斯特;A·特纳 | 申请(专利权)人: | 泰特拉桑有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 邵伟 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 设备 通过 光学 涂层 局部 剥离 实现 精细 金属 | ||
1.一种在基材上制造金属栅格图案的方法,包括:
提供基材;
在所述基材上面提供金属薄膜;
在所述金属薄膜上面提供图案化的抗蚀体,所述图案化的抗蚀体暴露所述金属薄膜的第一部分并覆盖所述金属薄膜的第二部分;
移除金属薄膜的所暴露的第一部分以暴露所述基材的部分,所述移除产生了在图案化的抗蚀体下面的金属栅格图案;
在图案化的抗蚀体和所述基材的暴露部分的上面适形地沉积介电层;
在图案化的抗蚀体上面的介电层中提供一个或更多个开口,所述一个或更多个开口暴露图案化的抗蚀体的一部分;以及
藉由图案化的抗蚀体的所暴露的部分将图案化的抗蚀体暴露于抗蚀体移除机构,由此移除图案化的抗蚀体和图案化的抗蚀体上面的介电层,所述移除在所述基材上面留有基本共面的金属栅格图案和介电图案。
2.如权利要求1所述的方法,其中,在介电层中提供一个或更多个开口包括对介电层的一个或更多个部分进行选择性的激光照射。
3.如权利要求1所述的方法,其中,在介电层中提供一个或更多个开口包括提供介电层和图案化的抗蚀体的热处理以使图案化的抗蚀体的体积膨胀,图案化的抗蚀体的体积的膨胀在介电层中形成裂缝,所述裂缝暴露所述图案化的抗蚀体的部分。
4.如权利要求1所述的方法,移除金属薄膜的所暴露的第一部分进一步移除图案化的抗蚀体下面的一部分金属栅格图案,由此底切图案化的抗蚀体使得随后沉积在所述基材的暴露部分上面的介电层不接触金属栅格图案,由此提供所述介电层中的所述一个或更多个开口。
5.如权利要求1所述的方法,其中,移除金属薄膜的所暴露的第一部分导致所述图案化的抗蚀体适形地覆盖金属栅格图案,使得随后沉积在所述基材的暴露部分上面的介电层接触金属栅格图案且在介电层与金属栅格图案之间没有间隙。
6.如权利要求5所述的方法,其中,介电层接触金属栅格图案且之间没有间隙防止了沾污金属迁移入基材中。
7.一种根据权利要求1所述的方法形成的太阳能电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的