[发明专利]光电设备通过光学涂层局部剥离而实现的精细线金属敷镀有效
申请号: | 201610015069.0 | 申请日: | 2011-02-15 |
公开(公告)号: | CN105609587B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | O·舒尔茨-韦特曼;D·克拉夫茨;D·德赛斯特;A·特纳 | 申请(专利权)人: | 泰特拉桑有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 邵伟 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 设备 通过 光学 涂层 局部 剥离 实现 精细 金属 | ||
本发明是申请日为2011年02月15日、申请号为201180002971.4(PCT/US2011/024857)的中国发明专利“光电设备通过光学涂层局部剥离而实现的精细线金属敷镀”的分案申请。
相关申请信息
本申请要求2010年9月3日申请的美国临时专利申请序列号No.61/379,810的权益,该申请整体地通过参考结合于此。
本申请还涉及共同转让的于2009年4月21日在先申请的名称为“High-Efficiency Solar Cell Structures and Methods of Manufacture”的申请号为61/171,194的美国临时申请;以及共同转让的于2010年4月21日申请的、名称为“High-Efficiency Solar Cell Structures and Methods of Manufacture”的申请号为PCT/US10/31869的国际专利申请。这些申请每个也整体地通过参考结合于此。本发明的所有方面可与上述申请的公开内容组合地使用。
技术领域
本发明涉及太阳能电池和其模块。更具体地,本发明涉及用于增加电池效能的改进型太阳能电池结构和制造方法。
背景技术
太阳能电池通过将基本上无限的太阳能转化为可用电能,从而给社会提供广泛的益处。随着其用途增多,某些经济因素变得重要,比如大量的制造和效能(或效率)。
太阳辐射假定为优先照射太阳能电池的一个表面,通常称之为前侧。为了实现入射光子至电能的高能量转化效率,硅基材内的光子有效吸收是很重要的。这能通过在前侧上的良好的表面纹理和抗反射覆层、以及除了在基材自身之外的所有层内的低寄生性吸收来实现。而且,很重要的是,在电池的背面提供反射层,以改进内部光阱。太阳能电池高效率的另一重要参数是利用金属电极对前表面的遮蔽。总之,优化的金属栅格需要金属结构的遮蔽和金属结构的电阻之间的损失权衡。太阳能电池效能的这种优化要求格栅具有非常窄的指状物,并且这些指状物之间的距离很短,所述指状物应当具有高的导电率。形成这种结构的一种实践方法是本发明的主题。
太阳能电池的生产可使用例如丝网印刷技术,以在前表面上印刷电极。银膏能印刷在氮化硅抗反射涂层上,并且在高温过程中穿过涂层进行烧结。这是短暂的过程;然而,由于在印刷膏中使用了数个非金属部件,这种方法的某些内在性质包括超过50μm(通常大约100μm)的相对宽的线宽和金属栅格的相当低的线导电率。而且,烧结过程导致金属膏成分渗透穿过抗反射层而进入基材(其中在基材中出现增加的重新组合)内。对于以下两种情况均是如此,其中对前部结器件而言,pn结会由于空间电荷区域的不利渗透而严重受损,以及对背部结器件而言,前表面重新组合会增加并且显著降低背部结发射器的集合效率。
发明内容
本发明克服了现有技术的缺点,并且提供了另外的优点,其在一个方面涉及一种将金属栅格触点和介电图案形成到需要导电触点的层上的方法,其包括在所述层上形成金属膜;在金属膜上形成抗蚀刻图案;蚀刻金属膜,进而使抗蚀刻图案以及在抗蚀刻图案之下的金属栅格触点图案保持原样,同时暴露所述层的其他部分;在抗蚀刻图案和所述层的暴露部分上形成介电层;以及移除抗蚀刻图案和在抗蚀刻图案上方的介电部分,从而在需要导电触点的层上留下大致共面的金属栅格触点和介电图案。
需要导电触点的层可以包括光电设备的一部分。金属栅格触点图案可形成太阳能电池的前部和/背部触点电极;并且介电层可以是太阳能电池的光学抗反射层或光学反射层。需要导电触点的层可以是提供其自身钝化作用的多功能层,以使得在介电层中基本上不需要钝化。
在一个方面,抗蚀刻图案能通过使用例如喷墨或丝网印刷而直写和原位固化所述抗蚀刻图案而形成。
激光可用来在介电层中选择性地开孔,从而便于抗蚀刻图案的所述移除;抗蚀刻图案和介电层的原位热处理可用来形成孔、裂纹和/或其他缺陷,从而便于抗蚀刻图案的所述移除;抗蚀刻图案可通过暴露至被吸收入抗蚀刻图案材料内的液体而被“膨胀”,以实现图案材料的体积和面积的增大,进而起作用来使穿过介电层的开口发生断裂,从而便于抗蚀刻图案的所述移除;和/或抗蚀刻图案材料的体积膨胀,连同掩模材料和介电层的随后剥离,一起被使用。
而且,通过本发明的技术可实现另外的特点和优点。本发明的其他实施例和方面在这里详细描述,并且视为是所声明发明的一部分。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的