[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 201610015755.8 | 申请日: | 2016-01-11 |
公开(公告)号: | CN105470268A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 王守坤;郭会斌;冯玉春;李梁梁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:衬底基板,位于所述衬底基板之上的信号线,其特征在于,还包括:
位于所述衬底基板与所述信号线之间的消光层,所述消光层用于在所述阵列基板位于出光侧时消减进入所述信号线的外界环境光,其中,所述信号线在所述衬底基板所在平面内的正投影与所述消光层在所述衬底基板所在平面内的正投影重合。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述消光层的材质为非晶硅单质或掺杂有非晶硅单质的半导体混合物。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述消光层的厚度满足干涉消光公式:
d=(2n+1)λ/4N(1)
其中,所述d为消光层的厚度,所述λ为可见光在空气中的波长,所述N为消光层的折射率,所述n为自然数。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述消光层的厚度为
5.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述消光层中至少一表面设置有多个凸起结构。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述消光层中两个表面均设置有多个凸起结构。
7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述信号线为栅线或公共电极线。
8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的阵列基板,所述阵列基板位于该显示装置的出光面。
9.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
利用一次构图工艺,在所述衬底基板之上形成图案化的消光层和信号线。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,利用一次构图工艺,在所述衬底基板之上形成图案化的消光层和信号线,具体包括:
在所述衬底基板的一表面依次沉积消光膜层和金属膜层;
利用掩膜版对所述金属膜层进行光刻工艺,形成图案化的信号线;
利用所述信号线的图案,对所述消光膜层进行刻蚀,形成与所述信号线相同图案的消光层。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,在所述衬底基板的一表面依次沉积消光膜层和金属膜层之前,所述方法还包括:
将所述衬底基板置于真空腔室中,利用等离子气体对所述衬底基板的一表面进行粗糙化处理,以使得后续形成的消光层中靠近所述衬底基板的表面具有多个凸起结构。
12.如权利要求10或11所述的方法,其特征在于,在所述衬底基板的一表面依次沉积消光膜层和金属膜层,具体包括:
在所述衬底基板的一表面沉积消光膜层;
将沉积有消光膜层的衬底基板置于真空腔室中,利用等离子气体对所述消光膜层进行粗糙化处理,以使得所述消光膜层具有多个凸起结构;
在粗糙化处理后的消光膜层之上沉积金属膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的