[发明专利]IPS型TFT‑LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT‑LCD阵列基板

权利要求书

1.一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供基板(10)，在所述基板(10)上沉积栅极金属层，并对所述栅极金属层进行图案化处理，得到栅极(11)及栅极扫描线(20)；

步骤2、在栅极金属层上沉积栅极绝缘层(12)，所述栅极绝缘层(12)上沉积一层非晶硅层，并对非晶硅层进行N型掺杂后，对所述非晶硅层进行图案化处理，得到对应于所述栅极(11)上方的半导体层(13)；

步骤3、在所述半导体层(13)、及栅极绝缘层(12)上沉积源漏极金属层，并对所述源漏极金属层进行图案化处理，得到源极(14)、漏极(15)、及数据线(30)，所述源极(14)和漏极(15)分别与所述半导体层(13)的两端相接触；其中，数据线(30)与栅极扫描线(20)围出数个像素区域；

步骤4、在所述源漏极金属层上形成绝缘保护层(16)，并对绝缘保护层(16)进行图案化处理，在所述绝缘保护层(16)上形成对应于所述漏极(15)上方的过孔(161)和位于像素区域内的数个相互平行的条状的沟道(162)；

步骤5、在所述绝缘保护层(16)上沉积一层透明导电层，并对所述透明导电层进行图案化处理，得到像素电极(17)及公共电极(18)，所述像素电极(17)通过过孔(161)与漏极(15)相接触，所述像素电极(17)与公共电极(18)间隔设置，在每一像素区域内，所述像素电极(17)与公共电极(18)沿沟道(162)两侧的凸台交替分布且延伸至沟道(162)的侧壁上。

2.如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中通过物理气相沉积法沉积栅极金属层，所沉积的栅极金属层的膜厚为所述栅极金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合；对所述栅极金属层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、湿法蚀刻、及光阻剥离。

3.如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中通过化学气相沉积法沉积栅极绝缘层(12)和非晶硅层，所沉积的栅极绝缘层(12)的膜厚为所沉积的非晶硅层的膜厚为所述栅极绝缘层(12)为氮化硅层，对所述非晶硅层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、干法蚀刻、及光阻剥离。

4.如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中通过物理气相沉积法沉积源漏极金属层，所沉积的源漏极金属层的膜厚为所述源漏极金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合，对所述源漏极金属层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光显影、湿法蚀刻、及光阻剥离。

5.如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4中形成的绝缘保护层(16)包括氮化硅层、及设于氮化硅层上的有机膜层；所述绝缘保护层(16)的氮化硅层的膜厚为通过化学气相沉积法形成；所述绝缘保护层(16)的有机膜层的膜厚为0.2～0.4μm，通过涂布工艺形成；对所述绝缘保护层(16)进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、干法蚀刻、及光阻剥离。

6.如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤5中通过物理气相沉积法沉积透明导电层，所沉积透明导电层的膜厚为所述透明导电层的材料为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种；对所述透明导电层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、湿法蚀刻、及光阻剥离。