[发明专利]IPS型TFT‑LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT‑LCD阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT-LCD阵列基板。

背景技术

随着显示技术的发展，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、阵列基板、夹于彩膜基板与阵列基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(阵列基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成阵列基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在阵列基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。

液晶面板的阵列基板上设置有数条扫描线、数条数据线、和数条公共电极走线，该数条扫描线和数条数据线限定出多个像素单元，每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的栅极与相应的栅线相连，当栅线上的电压达到开启电压时，薄膜晶体管的源极和漏极导通，从而将数据线上的数据电压输入至像素电极。

目前主流市场上的TFT-LCD，就液晶的驱动模式而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型，面内转换(In-Plane Switching，IPS)型、及垂直配向(Vertical Alignment，VA)型。其中IPS模式是利用与基板面大致平行的电场驱动液晶分子沿基板面内转动以响应的模式，由于具有优异的视角特性，所以被用于各种TV显示用途当中。

在IPS模式中，通过像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极之间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间或公共电极间、像素电极正上方或公共电极正上方所有取向的液晶分子都能够产生旋转转换，从而可提高平面取向系液晶的工作效率并增大透光效率。如图1所示，为传统的IPS型TFT-LCD阵列基板的结构，其上的每一像素单元包括设于基板100上的栅极101、设于栅极101及基板100上栅极绝缘层102、设于栅极绝缘层102上的半导体层103、设于半导体层103、及栅极绝缘层102上的源极104和漏极105、设于所述源极104、漏极105、半导体层103、及栅极绝缘层102上绝缘保护层106、及形成于所述绝缘保护层106上的像素电极107；且在该TFT阵列基板上，公共电极层120与栅极101和栅极扫描线110为同一金属层制得，像素电极107通过绝缘保护层106上的过孔结构连接到漏极105。

然而，随着技术的进步，消费者对电子产品的显示效果提出了更高的要求，人们不断追求显示器件具有更好的显示效果及更高的透过率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，像素电极和公共电极采用同一透明导电层制得，且像素电极和公共电极下方的绝缘保护层上设有数个相互平行的条状的沟道，像素电极与公共电极沿沟道两侧的凸台交替分布且延伸至沟道的侧壁上，从而增大像素电极和公共电极在垂直于基板方向的面积，增加水平电场，增大存储电容，提高液晶面板的显示质量。

本发明的目的还在于提供一种IPS型TFT-LCD阵列基板，像素电极和公共电极下方的绝缘保护层上设有数个相互平行的条状的沟道，像素电极与公共电极沿沟道两侧的凸台交替分布且延伸至沟道的侧壁上，从而增大像素电极和公共电极在垂直于基板方向的面积，增加水平电场，增大存储电容，进而提高液晶面板的显示质量。

为实现上述目的，本发明提供一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，包括如下步骤：