[发明专利]TFT结构及其修复方法、GOA电路

权利要求书

1.一种TFT结构，其特征在于，包括：源极(10)、与所述源极(10)相 对设置的漏极(20)、以及设于源极(10)和漏极(20)下方或上方的与所述 源极(10)和漏极(20)相互绝缘的栅极；

所述源极(10)包括多个沿第一方向间隔排列的独立U形源极分支(101)， 所述漏极(20)包括多个沿第一方向间隔排列的条状漏极分支(201)；

一条状漏极分支(201)对应设于一独立U形源极分支(101)的开口内；

每一独立U形源极分支(101)各通过一连接部(103)单独连接至第一金 属线(30)；所述多个条状漏极分支(201)均电性连接至第二金属线(40)。

2.如权利要求1所述的TFT结构，其特征在于，每一独立U形源极分支(101) 均包括沿第一方向延伸的横部(1011)、及垂直连接于所述横部(1011)的两 端的两纵部(1012)。

3.如权利要求2所述的TFT结构，其特征在于，每一连接部(103)由对 应的独立U形源极分支(101)的横部(1011)引出，并延伸至第一金属线(30)， 实现每一独立U形源极分支(101)与第一金属线(30)的单独连接。

4.如权利要求2所述的TFT结构，其特征在于，所述条状漏极分支(201) 平行于所述独立U形源极分支(101)的纵部(1012)。

5.如权利要求1所述的TFT结构，其特征在于，还包括设于所述源极(10) 和漏极(20)下方的有源层。

6.一种TFT修复方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一TFT，包括：源极(10)、与所述源极(10)相对设置的漏 极(20)、以及设于源极(10)和漏极(20)下方或上方的与所述源极(10) 和漏极(20)相互绝缘的栅极；

所述源极(10)包括多个沿第一方向间隔排列的独立U形源极分支(101)， 所述漏极(20)包括多个沿第一方向间隔排列的条状漏极分支(201)；

一条状漏极分支(201)对应设于一独立U形源极分支(101)的开口内；

每一独立U形源极分支(101)各通过一连接部(103)单独连接至第一金 属线(30)；所述多个条状漏极分支(201)均电性连接至第二金属线(40)；

步骤2、检测所述TFT中各个独立U形源极分支(101)及其对应的条状漏 极分支(201)是否存在缺陷，找到存在缺陷的独立U形源极分支(101)及其 对应的条状漏极分支(201)；

步骤3、切断存在缺陷的独立U形源极分支(101)与第一金属线(30)之 间的连接，切断对应的条状漏极分支(201)与第二金属线(40)之间的连接。

7.如权利要求6所述的TFT修复方法，其特征在于，每一独立U形源极分 支(101)均包括沿第一方向延伸的横部(1011)、及垂直连接于所述横部(1011) 的两端的两纵部(1012)；

所述条状漏极分支(201)平行于所述独立U形源极分支(101)的纵部 (1012)。

8.如权利要求7所述的TFT修复方法，其特征在于，每一连接部(103) 由对应的独立U形源极分支(101)的横部(1011)引出，并延伸至第一金属 线(30)，实现每一独立U形源极分支(101)与第一金属线(30)的单独连接；

所述步骤3通过切断相应的连接部(103)来切断存在缺陷的U形源极分支 (101)与第一金属线(30)之间的连接。

9.如权利要求6所述的TFT修复方法，其特征在于，所述源极(10)和漏 极(20)的下方还设有有源层。

10.一种GOA电路，其特征在于，包括如权利要求1-5任一所述的TFT结 构。