[发明专利]TFT结构及其修复方法、GOA电路在审

专利信息
申请号: 201610018659.9 申请日: 2016-01-12
公开(公告)号: CN105632439A 公开(公告)日: 2016-06-01
发明(设计)人: 阙祥灯 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;H01L29/786;H01L29/417
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: tft 结构 及其 修复 方法 goa 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种TFT结构及其修复方法、GOA 电路。

背景技术

液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)具有机身薄、省电、无辐射 等众多优点,得到了广泛的应用。如:液晶电视、移动电话、个人数字助理 (PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等,在平板显示领域中占 主导地位。

现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器,其包括液晶显示 面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体 管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate,TFTArraySubstrate)与彩 色滤光片基板(ColorFilter,CF)之间灌入液晶分子,并在两片基板上施加 驱动电压来控制液晶分子的旋转方向,以将背光模组的光线折射出来产生画 面。

主动矩阵式液晶显示器(ActiveMatrixLiquidCrystalDisplay,AMLCD) 是目前最常用的液晶显示器,包含多个像素,每个像素各受一个薄膜晶体管 (ThinFilmTransistor,TFT)的控制,该TFT的栅极连接至沿水平方向延 伸的扫描线,漏极连接至沿垂直方向延伸的数据线,源极连接至对应的像素 电极。如果在水平方向的某一扫描线上施加足够的正电压,则会使得连接在 该条扫描线上的所有TFT打开,将数据线上所加载的数据信号电压写入像 素电极中,控制不同液晶的透光度进而达到控制色彩的效果。

主动矩阵式液晶显示器水平扫描线的驱动(即栅极驱动)最初由外接的 集成电路(IntegratedCircuit,IC)来完成,外接的IC可以控制各级水平扫描 线的逐级充电和放电。GOA技术(GateDriveronArray)即阵列基板行驱动技 术,可以运用液晶显示面板的阵列制程将水平扫描线的驱动电路制作在显示 区周围的基板上,使之能替代外接IC来完成水平扫描线的驱动。GOA技术能 减少外接IC的焊接(bonding)工序,有机会提升产能并降低产品成本,而 且可以使液晶显示面板更适合制作窄边框的显示产品。

GOA电路由多个TFT构成。图1所示为现有的一种GOA电路中的TFT结 构,包括由多个U形源极分支11相互连接构成的梳型的源极、及由与多个U形 源极分支11相等数量的条状漏极分支12构成的漏极,一条状漏极分支12对应 一U型源极分支11的开口设置。所述U形源极分支11包括横部111、及两垂直 连接于横部111的纵部112,所述多个U形源极分支11的横部111连成一体,相 邻的两个U形源极分支11共用一纵部112;多个条状漏极分支12连接同一金属 线,所述多个U形源极分支11均通过同一连接部113连接至另一金属线。图1 所示的TFT结构,当其中一U形源极分支11及其对应的条状漏极分支12出现缺 陷时,将导致整个TFT电性失效且无法进行修复,从而导致采用该TFT结构的 GOA电路出现逻辑错误,甚至造成整个面板报废。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT结构,易于修复。

本发明的另一目的在于提供一种TFT修复方法,能够有效修复TFT的缺陷, 提高修复成功率。

本发明的目的还在于提供一种GOA电路,能够提升GOA电路的制作良率, 降低GOA电路的生产成本。

为实现上述目的,本发明提供了一种TFT结构,包括:源极、与所述源极 相对设置的漏极、以及设于源极和漏极下方或上方的与所述源极和漏极相互绝 缘的栅极;

所述源极包括多个沿第一方向间隔排列的独立U形源极分支,所述漏极包 括多个沿第一方向间隔排列的条状漏极分支;

一条状漏极分支对应设于一独立U形源极分支的开口内;

每一独立U形源极分支各通过一连接部单独连接至第一金属线;所述多个 条状漏极分支均电性连接至第二金属线。

每一独立U形源极分支均包括沿第一方向延伸的横部、及垂直连接于所述 横部的两端的两纵部。

每一连接部由对应的独立U形源极分支的横部引出,并延伸至第一金属 线,实现每一独立U形源极分支与第一金属线的单独连接。

所述条状漏极分支平行于所述独立U形源极分支的纵部。

所述的TFT结构还包括设于所述源极和漏极下方的有源层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610018659.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top