[发明专利]内存单元数组中筛除离群位及检测位线短路的方法

说明书

本发明提供一种内存单元数组中筛除离群位及检测位线短路的方法。内存单元数组中筛除离群位的方法包括：提供一内存单元数组。内存单元数组包括多个内存单元、多条字符线、多条位线以及多条源极线，且各内存单元连接至一条位线、一条字符线以及一条源极线。输入一第一电压给由这些位线选择出来的一条选择位线，输入一第二电压给未选择位线，并且量测内存单元的临界电压。筛除临界电压离群的内存单元的位。本发明的内存单元数组中筛除离群位的方法可以有效筛除离群且不符规范的位，内存单元数组的位线短路的检测方法可以提升检测效率。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置的检测方法，尤其涉及一种内存单元数组中筛除离群位及检测位线短路的方法。

背景技术

内存是一种用来储存信息或数据的半导体组件。随着计算机微处理器的功能越来越强大，藉由软件执行的程序与操作也随之增加。因此，对于具有高储存容量内存的需求也逐渐增加。

在各种内存产品中，非易失性内存(non-volatile内存)允许多次的数据程序化(programming)、读取(reading)以及抹除(erasing)操作，且甚至在内存的电源中断之后还能够保存储存于其中的数据。由于这些优点，非易失性内存已成为个人计算机与电子设备中广泛使用的内存。

发明内容

本发明提供一种内存单元数组中筛除离群位及检测位线短路的方法，内存单元数组中筛除离群位的方法可以有效筛除离群且不符规范的位；内存单元数组的位线短路的检测方法可以提升检测效率。

本发明的内存单元数组中筛除离群位的方法包括：对一内存单元数组上的多个内存单元进行一深度强抹除步骤。接续深度强抹除步骤后，对内存单元数组上的多个内存单元进行一离群位筛除。对内存单元数组上的多个内存单元反复进行强程序化以及一般抹除的循环。

本发明的内存单元数组的位线短路的检测方法包括：提供一内存单元数组。内存单元数组包括多个内存单元、多条字符线、多条位线以及多条源极线，且各内存单元连接至一条位线、一条字符线以及一条源极线。输入一第一电压给由这些位线选择出来的一条选择位线，输入一第二电压给未选择位线，并且量测内存单元的临界电压。筛除临界电压被扰动的内存单元的位。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明一实施例的内存单元数组的检测装置示意图；

图2为本发明一实施例的内存单元的示意图；

图3为本发明一实施例的内存单元数组的位线短路的检测方法的的流程；

图4为本发明另一实施例的内存单元数组的位线短路的检测方法的流程；

图5为本发明一实施例的内存单元数组中筛除离群位的方法；

图6为示意性的显示筛除离群位的筛选方法中所量测出来的结果；

图7为图5的步骤S380的一种实施方式。

附图标记：

10：检测装置

12：微电脑

14：探针模块

16：紫外光模块

100：内存单元数组

110：内存单元

BV：基准电压

CT：端点电压

CV：电压集中范围

D：漏极

G：栅极