[发明专利]用于后续阳极氧化处理的压铸铝合金外壳铝基过渡涂层制备方法

权利要求书

1.一种用于后续阳极氧化处理的压铸铝合金外壳铝基过渡涂层制备方法，其特征在于，具体按照下列步骤进行：

(1)纯铝合金压铸外壳经表面除油、抛光后浸入丙酮中超声波清洗，酒精脱水；

(2)将清洗处理的纯铝合金压铸外壳放入真空磁控溅射离子镀设备的转架台上，转架台可以转动，以保证镀膜过程的均匀性；

(3)采用多个电弧Cr基靶或Ti基靶作为底层Cr基或Ti基的来源，在压铸铝合金外壳表面沉积形成Cr基底层或Ti基底层；

(4)以多对均匀安装在炉体内壁上的平面Al靶作为Al的来源，用高纯Ar作为靶材溅射气体，通过调整中频脉冲电源的电流控制所述多对平面Al靶的溅射率，在Cr基底层或Ti基底层上制备纯Al涂层；

镀膜工艺条件为：

A)压铸铝合金手机外壳等离子体清洗：

压铸铝合金外壳装入真空磁控溅射离子镀设备的真空室后，抽真空并加热到100℃，保持真空室温度始终不变，通入50ml/min的高纯Ar进入到真空室，当真空室气压达到6Pa时，开启偏压电源，调整偏压为-150V，对真空室内的压铸铝合金外壳表面进行刻蚀轰击，持续30min；

B)Cr基底层或Ti基底层制备：

压铸铝合金外壳经等离子体清洗后，调节氩气流量到30ml/min，将真空室气压调至0.3Pa，然后开启Cr电弧靶或Ti基电弧靶电源，调节Cr基靶或Ti基靶电流为70A，偏压电源的偏压为-100V，在压铸铝合金外壳表面制备Cr基底层或Ti基底层，沉积时间20min；

C)Al涂层制备：

Cr基底层或Ti基底层制备完成后，关闭Cr基电弧靶或Ti基电弧靶，电源偏压-100V和氩气流量30ml/min不变，在真空室温度100℃、气压0.3Pa下，打开Al磁控靶，每对Al磁控靶电流为25A，在Cr基底层或Ti基底层上制备纯Al涂层，沉积时间200min；

经后续阳极氧化工艺处理后测试，氧化层外观色泽均匀，氧化层显微硬度为Hv500，样品弯折180度后涂层无脱落，中性盐雾试验的耐蚀性超过48小时。