[发明专利]包括缓冲器和主存储器的存储装置及用户装置有效

专利信息
申请号: 201610021169.4 申请日: 2016-01-13
公开(公告)号: CN105786403B 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 辛东俊 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 张帆;张青
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包括 缓冲器 主存储器 存储 装置 用户
【权利要求书】:

1.一种存储装置,包括:

非易失性存储器,其包括缓冲区和主区;以及

存储器控制器,其响应于写请求而将连续接收到的写数据的块存储在所述非易失性存储器,

其中,所述存储器控制器配置为:首先将连续接收到的写数据的块之中的各块存储在所述非易失性存储器的主区中,并且随后,当连续计数等于或超过参考计数时,将连续接收到的写数据的块之中的剩余各块存储在所述缓冲区中,

其中,所述连续计数表示连续接收到的块的数据大小持续等于或超过参考数据大小的次数。

2.根据权利要求1所述的存储装置,其中,在所述缓冲区的每个存储器单元存储N位数据,并且在所述主区的每个存储器单元存储M位数据,其中N和M是整数。

3.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述存储器控制器包括:

模式管理器,其配置为使得写模式在数据存储于所述缓冲区的第一模式与数据存储于所述主区的第二模式之间变化。

4.根据权利要求3所述的存储装置,其中,所述第一模式的写速度大于所述第二模式的写速度,

其中,当所述连续计数超过参考计数时,所述模式管理器将写模式变为所述第一模式,并且

其中,在空闲状态,所述模式管理器将写模式变为所述第二模式。

5.根据权利要求4所述的存储装置,其中,在所述模式管理器将写模式变为所述第一模式之后且不处于空闲状态时,无论在所述连续接收到的写数据的块之中的所有剩余块的数据大小如何,所述存储器控制器都保持所述第一模式。

6.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述存储器控制器配置为执行将存储在所述缓冲区的数据转移至所述主区的迁移操作。

7.根据权利要求6所述的存储装置,其中,所述存储器控制器配置为在空闲时间中执行所述迁移操作。

8.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述非易失性存储器是具有三维存储器阵列的闪速存储器。

9.一种存储装置,包括:

闪速存储器,其包括缓冲区和主区;以及

存储器控制器,其响应于写请求,根据各块的数据大小是否持续大于或等于参考大小,将连续接收到的各块中的每一个选择性地存储在所述缓冲区或所述主区。

10.根据权利要求9所述的存储装置,其中,当连续计数等于或超过参考计数时,所述存储器控制器从将所述连续接收到的写数据的各块首先存储在所述主区中的第二模式变为将所述连续接收到的写数据的各块之中的剩余各块存储在所述缓冲区的第一模式,其中,所述连续计数表示所述连续接收到的块的数据大小持续等于或超过参考大小的次数。

11.根据权利要求10所述的存储装置,其中,在出现空闲状态之后,所述存储器控制器变为第二模式以执行下一写请求。

12.根据权利要求10所述的存储装置,其中,当不处于空闲状态且在所述存储器控制器变为第一模式之后,无论剩余的连续接收到的写数据的块的数据大小如何,所述存储器控制器都保持第一模式以使得剩余的连续接收到的写数据的块存储在所述缓冲区。

13.根据权利要求9所述的存储装置,其中,在所述缓冲区的每个存储器单元存储N位数据,并且在所述主区的每个存储器单元存储M位数据,其中N和M是整数。

14.根据权利要求9所述的存储装置,其中,所述存储器控制器包括:

速度模式管理器,其配置为在数据存储在所述缓冲区的第一写速度模式与数据存储在所述主区的第二写速度模式之间改变。

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